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公开(公告)号：CN114665284A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210281365.0
申请日：2022-03-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种应用于汽车防撞雷达或交通雷达的毫米波阵列天线，包括天线结构件、天线结构件内部的发射阵列和接收阵列空腔结构以及布置于天线结构件下表面的毫米波射频芯片，发射阵列和接收阵列均由多个发射子阵列和接收子阵列组成，发射子阵列包括发射辐射缝隙阵列、发射辐射波导网络、发射馈电波导等，与毫米波射频芯片的发射输出口连接，接收子阵列包括接收辐射缝隙阵列、接收辐射波导网络、接收馈电波导等，与毫米波射频芯片的接收输入口连接。本发明通过采用辐射缝隙阵列、馈电波导等结构实现发射阵列和接收阵列，降低了毫米波阵列天线的馈电传输损耗和辐射损耗，提高了天线的增益，有利于增强毫米波汽车防撞雷达或交通雷达的作用距离。
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公开(公告)号：CN109462017A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811249219.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种圆极化单脉冲卡塞格伦天线，包括同轴设置的主反射面和副反射面、连接主反射面和副反射面的装配装置、馈源和馈电网络，所述馈源为一体化成型的圆极化单脉冲馈源，圆极化单脉冲馈源包括2×2排布的四个结构相同的圆极化馈源单元，四个圆极化馈源单元的馈电端口均与馈电网络连接。本发明的馈源为一体化成型的圆极化单脉冲馈源，这样不用分层分块加工，且适用于各种频段，结构简单，具有宽带轴比的特点；此外，这种馈源的尺寸可以做得很小，圆极化馈源单元口径可以小于一个波长，相比现有技术具有小型化的特点，且可以用于多种天线，具有较强的适应性。
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公开(公告)号：CN107356332A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710747457.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 东南大学
IPC: G01J3/28 , G01J3/02 , G01N21/3586
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹收发芯片，包括反射阵、馈源天线以及太赫兹收发电路。还涉及一种使用太赫兹收发芯片的太赫兹收发器，以及使用该太赫兹收发器的太赫兹成像系统，该太赫兹成像系统具有分辨率高、成像快、探测距离远、体积小、成本低的优点，解决了太赫兹成像难以小型化的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103117754A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310035066.X
申请日：2013-01-30
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明公开了一种多芯片集成E波段发射模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置中频低通滤波电路、本振电路及上变频电路；中频输入端采用标准SMA接头，本振输入端为标准波导法兰结构，射频输出端为标准波导法兰结构。该模块中波导与微带电路之间的信号耦合通过过渡结构实现，低损耗基片电路及各功能砷化镓芯片通过金丝键合实现电气连接。本发明基于多芯片集成技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN119812711A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411932327.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种波导与集成模块间的信号传输装置、方法和系统，通过球状网络阵列将两个层叠板连接在一起，并通过在第一层叠板配置穿孔金属化空腔，在第二层叠板配置信号传输器、传输线、介质波导背腔、匹配结构和集成电路，实现波导与集成模块之间的信号传输。其中信号由波导输入，经穿孔金属化空腔和类波导结构，耦合到信号传输器上，进而通过传输线传输给集成电路。同时，本发明涉及的信号传输装置为无源结构，因此也可实现信号的反向传输，即信号由集成电路通过该信号传输路径传递到波导。进而，由信号传输装置及方法可拓展到集成天线系统实现其系统级应用。本发明与现有技术相比，能有效降低信号传输损耗，实现系统的高密度集成。
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公开(公告)号：CN105007045B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510443633.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹基波混频模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内设置本振输入端的匹配波导、芯片通道、射频输入端的匹配波导、中频输出电路和直流偏置电路；芯片通道的一端连接本振输入端匹配波导，另一端射频输入端的匹配波导，芯片通道内设置混频芯片，混频芯片粘接到金属上基座上，直流偏置电路上设置去耦电容，去耦电容为片上电容。本发明基于太赫兹集成电路微纳制备技术，具有结构紧凑、安装简便、集成度高的特点；本发明中射频及本振两路输入经由各自不同的通路完成信号传输，具有射频本振隔离性能好的特点；本发明具有混频损耗小的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN103152066B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310036833.9
申请日：2013-01-30
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种多芯片集成E波段接收模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置中频低通滤波电路、本振电路以及下变频结构；中频输入端采用标准SMA接头，本振输入端为标准波导法兰结构，射频输出端为标准波导法兰结构。该模块中波导与微带电路之间的信号耦合通过过渡结构实现，低损耗基片电路及各功能砷化镓芯片通过金丝键合实现电气连接。本发明基于多芯片集成技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN102969976B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210470268.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型太赫兹功率合成倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入波导结构、合成通道、输出波导结构和直流偏置电路；合成通道的一端连接输入波导结构，另一端连接输出波导结构，合成通道内设置两组相互镜像对称的薄膜芯片，薄膜芯片的一组连接到金属上基座上，另一组连接到金属下基座上，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本发明基于微纳技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；本发明具有端口性能好的特点；本发明具有效率较高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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