公开(公告)号：CN119788006A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411869388.9

申请日：2024-12-18

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 方中元 ,  李忠良 ,  秦巍彬 ,  徐志超 ,  范王琛 ,  王屹晴 ,  孙伟锋

IPC: H03F3/21 ,  H03F1/32 ,  H03F1/34 ,  H03F1/56

Abstract: 本发明公开了一种具有功率检测的高线性度高功率的GaAs HBT功率放大器，包括射频通路、偏置模块和功率检测电路；射频通路用于对射频信号进行功率放大，并利用负反馈网络提高稳定性并扩展带宽、二次谐波抑制提高整体线性度；偏置电路用于为三级放大电路提供随输入功率动态改变的偏置电压，以解决GaAs HBT晶体管大功率输入下因自热效应导致的线性度恶化和电流不稳定问题，改善了功率放大器的幅度‑幅度失真和幅度‑相位失真；功率检测电路用于输出与输出功率成正相关的直流电压，以实现对功率放大器输出功率的精准控制。本发明充分结合负反馈、动态偏置和谐波抑制技术，有效提高了放大器整体线性度。