一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法

    公开(公告)号:CN116384330A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310332561.0

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种获取鳍式场效应管寄生电容波动模型的方法。通过TCAD仿真所获得的鳍式场效应管电场分布,获取寄生电容解析模型,之后利用统计阻抗场法获取寄生电容受工艺波动影响的数据,仿真数据校准拟合后,生成考虑工艺波动的寄生电容波动模型。该方法能够减少仿真工艺波动所需的大量计算,并且能够以统计分布的形式较为准确地表现工艺波动对寄生电容的影响。通过鳍式场效应管寄生电容波动模型,可以在不需要大量计算的情况下预估寄生电容的波动情况,解决考虑工艺波动条件下的电路设计的阈值、故障率、成品率等问题。

    一种预测鳍式场效应管器件随机掺杂波动效应的方法

    公开(公告)号:CN116341487A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310332567.8

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本发明提供一种预测鳍式场效应管器件随机掺杂波动效应的方法,包括根据鳍式场效应管(FinFET)器件的沟道掺杂分布以及漏极电流与栅极电压关系曲线构建数据集;设置输入层、隐藏层和输出层的层数与神经元个数,建立FinFET器件随机掺杂波动的神经网络预测模型;为该模型设定初始值,通过不断对训练数据进行预测来计算误差,并通过反向传播算法更新、优化模型参数;向训练完毕的神经网络预测模型输入待预测FinFET器件的参数,得到该器件的阈值电压和亚阈值摆幅。本发明通过输入FinFET器件导电沟道分区域离子个数,可以快速、准确地预测该器件的阈值电压和亚阈值摆幅,为FinFET器件波动效应模拟提供一种耗时短、供选择的解决方案。

    一种基于视网膜显示的超表面微纳近眼显示器

    公开(公告)号:CN114252991B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202210019355.X

    申请日:2022-01-10

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于视网膜显示的超表面微纳近眼显示器。包括透明微显示像源、超表面微纳聚焦透镜组和超表面微纳补偿透镜组。超表面微纳聚焦透镜组包含超表面微纳聚焦基底层、超表面微纳聚焦透镜层和超表面微纳聚焦保护层。超表面微纳补偿透镜组包含超表面微纳补偿基底层、超表面微纳补偿透镜层和超表面微纳补偿保护层。利用超表面结构形成的微纳透镜阵列与透明微显示像源结合,代替原有视网膜显示技术中的激光光源和笨重的光学透镜,实现超薄超清无辐辏聚焦矛盾的近眼显示。

    一种基于视网膜显示的超表面微纳近眼显示器

    公开(公告)号:CN114252991A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202210019355.X

    申请日:2022-01-10

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于视网膜显示的超表面微纳近眼显示器。包括透明微显示像源、超表面微纳聚焦透镜组和超表面微纳补偿透镜组。超表面微纳聚焦透镜组包含超表面微纳聚焦基底层、超表面微纳聚焦透镜层和超表面微纳聚焦保护层。超表面微纳补偿透镜组包含超表面微纳补偿基底层、超表面微纳补偿透镜层和超表面微纳补偿保护层。利用超表面结构形成的微纳透镜阵列与透明微显示像源结合,代替原有视网膜显示技术中的激光光源和笨重的光学透镜,实现超薄超清无辐辏聚焦矛盾的近眼显示。

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