-
公开(公告)号：CN103917487A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054346.9
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C01B13/32 , C01B33/113 , C01G23/04 , C07F7/10 , C07F7/18 , C07F7/28 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。
-
公开(公告)号：CN105001254B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510363768.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C03C17/23 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
-
公开(公告)号：CN105001254A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510363768.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C03C17/23 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
-
公开(公告)号：CN102197444A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142168.3
申请日：2009-10-21
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
CPC classification number: C23C18/08 , B22F9/24 , B22F2998/00 , H01B1/02 , H01B1/026 , B22F1/0018
Abstract: 本发明提供能够由高价金属化合物直接制造金属膜的组合物、金属膜的制造方法、以及金属粉末的制造方法。使用铜、银或铟的金属膜制造用组合物形成覆膜，然后进行加热还原，由此制造铜、银或铟的金属膜，所述铜、银或铟的金属膜制造用组合物的特征在于，含有铜、银或铟的高价化合物，直链、支链或环状的碳原子数为1～18的醇类，以及VIII族的金属催化剂。另外，代替铜、银或铟的高价化合物，使用具有包含铜、银或铟的高价化合物的表层的铜、银或铟的金属颗粒，与上述同样地制造铜、银或铟的金属膜。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.046 seconds)
