富氧膜的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110559810A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910292410.0

    申请日:2019-04-12

    Abstract: 本发明提供气体分离能力优异的富氧膜的制造方法和储藏库的制造方法,其在即使有机硅系组合物的浓度低的情况下,也不会使中间层的表面劣化,能够将有机硅系组合物均匀地进行涂布。至少具有气体分离层(101)、多孔质基材层(102)和位于气体分离层(101)与多孔质基材层(102)之间的中间层(103)的富氧膜(62)的制造方法具有:将具有硅氧烷键的化合物用溶剂进行稀释来制备有机硅系组合物的工序;使上述有机硅系组合物发生交联反应的工序;通过在多孔质基材层(102)上涂布中间层组合物而层叠中间层(103)的工序;和通过在中间层(103)上涂布交联反应后的上述有机硅系组合物而层叠气体分离层(101)的工序。

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