公开(公告)号：CN116124765A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211355614.2

申请日：2022-11-01

Applicant: 东莞理工学院

Inventor： 张敏 ,  满足 ,  程发良 ,  卓海涛 ,  刘文萍 ,  曾逸南 ,  谢世磊 ,  谢东 ,  柳鹏 ,  王寿山

IPC: G01N21/76 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及光电化学检测材料领域，特别是涉及负载MoS2量子点的氧化钨纳米片复合材料，通过溶液法在FTO玻璃上水热生长WO3纳米方块片，再通过简单的滴涂烘干负载上MoS2量子点。负载MoS2量子点的氧化钨复合材料，在氧化钨中引入MoS2量子点可以降低带隙，这将有效地促进发光电子‑空穴对的传输。MoS2和贵金属具有类似的作用，因为二硫化钼片可以作为电子收集器，用于分离电子‑空穴对；MoS2相比于贵金属价格便宜，制备简单，提升光电性能效果好。本发明还提供一种负载MoS2量子点的氧化钨纳米片复合材料的制备方法，工艺简单、方便。