一种掺杂聚偏二氟乙烯的陶瓷基二氧化铅阳极的制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116695173A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202210180395.2

    申请日:2022-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种掺杂聚偏二氟乙烯的陶瓷基二氧化铅阳极的制备方法与应用。所述方法包含以下步骤:首先对陶瓷片表面进行处理,然后再用化学沉积法在陶瓷片表面沉积导电层,使陶瓷片导电以便进行后续步骤,再用电化学沉积法制备出α‑PbO2中间层,α‑PbO2中间层的存在可以有效地减少活性层和陶瓷基底之间的内应力,使其不容易剥落,最后用共沉积法制备出β‑PbO2‑PVDF活性层,得到掺杂聚偏二氟乙烯的陶瓷基二氧化铅阳极。相比传统的钛基底,本发明使用的陶瓷基底大大提高了二氧化铅的使用寿命,PVDF的掺杂则使电极表面结构更加紧密,析氧电位有一定程度提高,电氧化能力增强;作为阳极处理抗生素废水,降解效果良好。

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