-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119724750A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411976002.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明涉及高温超导带材制备技术领域，本发明要解决的技术问题是成本高，效率低。为了解决上述技术问题，本发明提供了一种用于高温超导带材缓冲层引带循环使用的处理装置。本发明包括：传输组件，用于实现待处理引带的传输；倒带机；引带处理组件包括沿引带传输方向依次布设的退镀处理部件和烘干部件，退镀处理部件靠近出口端设置，烘干部件靠近入口端设置；退镀处理部件的退镀槽中设有碱性溶液；待处理引带自出口端进入退镀槽中进行退镀处理；待处理引带进入第一清洗部对待处理引带上的退镀液进行清洗；待处理引带自第一清洗部进入烘干部件，对待处理引带上的水雾烘干；待处理引带自入口端进入倒带机中。本发明减少了生产成本，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN115838186B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211319023.X
申请日：2022-10-26
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将钡盐、锶盐与2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮络合反应生成双(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)钡锶；(2)再加入1，10‑菲罗啉进行配位反应，反应完全后蒸发结晶得到所述锶掺杂的钡源。本发明制备得到的锶掺杂钡源与三(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)钇源以及双(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)铜源挥发温度相近，三种前驱体源通过MOCVD工艺可同时与氧离子结合，在带材上形成具有超导功能的陶瓷层膜。该陶瓷层膜形成的功能层在77K、0T下的临界电流高达765.10A，且具有良好的柔韧性，8mm棒弯曲临界电流损失仅为5.21％。
-
公开(公告)号：CN114380676A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111626684.2
申请日：2021-12-28
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多元稀土共晶高温超导原材料的制备方法，该制备方法通过多元稀土共晶化学源替代单元稀土化学源来改变其超导性能，通过与之配套的钡源铜源，并利用“沉积速度快，沉积面积大，薄膜质量高”的MOCVD生长方法，生产出千米高温超导长带，保证其在实用温度和磁场下带材超导性能优良。
-
公开(公告)号：CN119446655A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411676461.0
申请日：2024-11-22
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超导带材不良品的处理工艺及处理系统，处理工艺包括以下步骤：对表面含有金属氧化物膜的超导带材不良品依次进行一次酸洗处理、一次清洗处理、一次碱洗处理、二次清洗处理、二次酸洗处理和三次清洗处理，得到去除表面金属氧化物膜的超导带材。本发明解决了二代高温超导带材的生产过程中产生大量不合格产品的技术问题，提供了一种绿色经济环保可持续处理方法，方法、设备、操作相对简单，能够用于大规模产业化。
-
公开(公告)号：CN115838186A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211319023.X
申请日：2022-10-26
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将钡盐、锶盐与2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮络合反应生成双(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)钡锶；(2)再加入1，10‑菲罗啉进行配位反应，反应完全后蒸发结晶得到所述锶掺杂的钡源。本发明制备得到的锶掺杂钡源与三(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)钇源以及双(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)铜源挥发温度相近，三种前驱体源通过MOCVD工艺可同时与氧离子结合，在带材上形成具有超导功能的陶瓷层膜。该陶瓷层膜形成的功能层在77K、0T下的临界电流高达765.10A，且具有良好的柔韧性，8mm棒弯曲临界电流损失仅为5.21％。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.034 seconds)
