一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法

    公开(公告)号:CN114291784A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202110814293.7

    申请日:2021-07-19

    Abstract: 本发明涉及一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法,包括步骤:S1、获取晶圆;S2、在晶圆的表面沉积牺牲层,牺牲层的材料包括半导体材料;S3、刻蚀牺牲层,在共面波导上形成通孔;S4、在通孔中电镀锚点材料,形成初始锚点;S5、对牺牲层和初始锚点进行抛光处理,形成目标锚点,目标锚点的表面与牺牲层表面平齐;S6、在牺牲层表面电镀上电极,使得上电极与目标锚点接触;S7、释放牺牲层,形成MEMS开关的悬臂梁。该制备方法将大马士革工艺引入到牺牲层的制备过程中,有效改善了MEMS牺牲层的平整度,提高了牺牲层的稳定性,降低了牺牲层的释放时间,提高了生产效率,适用于MEMS开关的量产工作。

    一种王字型上电极式单刀双掷开关

    公开(公告)号:CN114142190A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111430191.1

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明属于射频MEMS技术领域,具体涉及一种王字型上电极式单刀双掷开关,所述微波传输线、第一驱动电极、第二驱动电极均设置在衬底上;所述第一地线的中部设有间断口,所述第一驱动电极、第二驱动电极分别设置在第一地线的间断口处,所述开关组件设置有两个,所述输入信号线通过两个开关组件分别与第一输出信号线、第二输出信号线连接。本发明的上电极采用王字型结构,从力学方面讲,该结构可以减小上电极的弹性系数,降低上电极下拉所需的静电力,进而降低驱动电压,去除电压后,使得上电极拥有类似于弹簧的回复力,防止了上下电极之间的自吸合,下电极采用了长条形的单触点,增大了与上电极的接触面积,能够提升射频开关的耐受功率。

    一种基于射频MEMS开关的T型可调滤波器

    公开(公告)号:CN111430857B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202010385837.8

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 本发明属于可调滤波器技术领域,具体涉及一种基于MEMS开关的T型可调滤波器,包括衬底,所述衬底上固定有两个镜像设置的T型可调谐振器,所述衬底上设有输入谐振器及输出谐振器。所述T型可调谐振器是由弯折T型谐振器、多个射频MEMS开关和多个接地端子组成,所述T型谐振器的尾部弯折,从而缩短整体尺寸。T型谐振器的头部左右两侧分别设有射频MEMS开关,所述射频MEMS开关另一端分别与接地端子相连,接地端子通过TSV通孔与背面接地层相连。本发明可减小滤波器尺寸,降低系统复杂度,具有体积小、高Q值、低损耗、高带外抑制、易集成等优点。在0.01‑22GHz的范围内,有着优越的实用性,实现了MEMS开关与微带线结构的高度集成。本发明用于不同频率的滤波。

    一种双层四谐振单元的交指型低群延时滤波器

    公开(公告)号:CN111564682A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN202010441375.7

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明属于滤波器技术领域,具体涉及一种双层四谐振单元的交指型低群延时滤波器,所述底部衬底的底部设置有底部金属层,所述底部衬底的上方设置有中间介质层,所述中间介质层的上方设置有顶部介质,所述顶部介质的顶部设置有顶部金属层,所述下层交指通过过孔金属连接在底部衬底上,所述上层交指通过过孔金属连接在中间介质层上,所述上层交指设置在下层交指的正上方,所述上层交指、下层交指均至少有两个,所述底部衬底上设置有两个信号输入输出端。本发明通过双层微带线经由过孔金属连接在一起,减小了滤波器的尺寸,且本发明通过改变微带线的长度选择中心频率,具有群延时小、体积小且带外抑制高的优点。本发明用于射频信号的滤波。

    一种基于射频MEMS开关的T型可调滤波器

    公开(公告)号:CN111430857A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010385837.8

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 本发明属于可调滤波器技术领域,具体涉及一种基于MEMS开关的T型可调滤波器,包括衬底,所述衬底上固定有两个镜像设置的T型可调谐振器,所述衬底上设有输入谐振器及输出谐振器。所述T型可调谐振器是由弯折T型谐振器、多个射频MEMS开关和多个接地端子组成,所述T型谐振器的尾部弯折,从而缩短整体尺寸。T型谐振器的头部左右两侧分别设有射频MEMS开关,所述射频MEMS开关另一端分别与接地端子相连,接地端子通过TSV通孔与背面接地层相连。本发明可减小滤波器尺寸,降低系统复杂度,具有体积小、高Q值、低损耗、高带外抑制、易集成等优点。在0.01-22GHz的范围内,有着优越的实用性,实现了MEMS开关与微带线结构的高度集成。本发明用于不同频率的滤波。

    一种双Y型贴片式环形器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111430862A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010385836.3

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 本发明属于铁氧体环形器技术领域,具体涉及一种双Y型贴片式环形器,包括双Y型微带匹配线、中心结、上层圆形铁氧体、下层圆形铁氧体、基片和金属接地板,所述双Y型微带匹配线与中心结连接,所述双Y型微带匹配线与中心结设置在上层圆形铁氧体与下层圆形铁氧体之间,所述上层圆形铁氧体与下层圆形铁氧体均镶嵌在基片内,所述金属接地板设置在基片上。本发明的铁氧体为圆形双层铁氧体结构,相较于单层铁氧体结构,双层铁氧体结构的旋磁特性更好,双层铁氧体结构提高了环形器的可靠性。本发明的结构设计简单对称,体积小,重量轻,结构简单,易于工艺加工。本发明用于实现控制微波信号的单向传输。

    一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线

    公开(公告)号:CN119651145A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411745579.4

    申请日:2024-12-02

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及微波天线技术领域,特别涉及一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线,包括:上介质层:所述上介质层的上、下表面分别贴合有金属层;下介质层:所述下介质层的上、下表面分别贴合有金属层;所述上介质层的下表面金属层与下介质层的上表面金属层贴合;所述上介质层和下介质层可拆卸连接;空气腔:开设在上介质层和下介质层之间;若干输入端口:所述输入端口的接触端设置在上介质层的上金属表面,且输入端口的接入端延伸出下介质层的下金属面;若干耦合缝隙:开设在所述上介质层的下表面金属层和下介质层的上表面金属层上;所述辐射单元包括环谐振器,能够减少电压驻波比的波动影响,提升信号传输的稳定性。

    一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法

    公开(公告)号:CN112919405B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202110108281.2

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明属于射频微电子机械系统封装技术领域,具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法,包括下列步骤:提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆,在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作;对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺;在晶圆上沉积一层薄膜;对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺,并留出释放孔位置;对释放孔位置进行刻蚀工艺;进行氧气等离子体工艺;再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶圆上,通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实现开关的原位薄膜封装工艺,并且本发明采用氩气等离子实现释放孔的刻蚀,采用氧等离子体实现牺牲层的释放,能够保证开关的射频性能,同时提高开关的工作可靠性。本发明用于RF MEMS开关的原位薄膜封装。

    一种基于RF MEMS开关的多刀多掷开关

    公开(公告)号:CN113394059B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202110502070.7

    申请日:2021-05-08

    Abstract: 本发明涉及一种基于RF MEMS开关的多刀多掷开关,包括:衬底;设置在衬底上且级联的两个MEMS单刀多掷开关;MEMS单刀多掷开关包括若干信号线、地线、若干上电极、若干驱动电极、功分器和若干空气桥。该多刀多掷开关通过将两个MEMS单刀多掷开关级联,不仅可以减小器件的插入损耗,提高了器件的隔离度,减小了器件的尺寸,扩宽了器件的工作频率,而且可以实现多通道信号的选通功能。

    一种石墨烯超材料的超宽带微波开关

    公开(公告)号:CN116845510A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202311015663.6

    申请日:2023-08-11

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于超宽带微波开关技术领域,具体涉及一种石墨烯超材料的超宽带微波开关,由单元结构在平面上按阵列形式连续拼接而成;每个所述单元结构由不同的功能层叠加组成,从上到下依次是顶层石墨烯层、聚氯乙烯PVC介质层和金属衬底;所述顶层石墨烯层为图案化的正方形石墨烯,所述聚氯乙烯PVC介质层和金属衬底的任意位置横截面均为相同尺寸的正方形,所述顶层石墨烯层贴附于聚氯乙烯PVC介质层上表面的中心,所述金属衬底贴附于聚氯乙烯PVC介质层的下表面。本发明提出的微波超材料开关的顶层为图案化刻蚀的四个相同尺寸的三角形孔和方孔的石墨烯层,结构简单、小尺寸、完美对称、易于集成和加工,并且该开关对于TE和TM波表现出极化不敏感特性。

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