公开(公告)号：CN111725401B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010611824.8

申请日：2020-06-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 张磊 ,  汪炼成 ,  司佳威 ,  肖灿城

IPC: H10N70/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L27/12 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  G11C13/04

Abstract: 本发明公开了一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用，包括光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器，光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器共用一个衬底，光电探测器从衬底往上依次包括光电转化层和金属上电极，pn异质结构模拟型忆阻器从衬底往上依次包括金属下电极、p型氧化物薄膜层、n型氧化物薄膜层、金属上电极；光电探测器的金属上电极与pn异质结构模拟型忆阻器的金属上电极是连接在一起。本发明采用模拟型忆阻器(突触器件)与光电探测器复合制备成复合型忆阻器，可以通过不同光激发图像传感器光电导效应，精确调节模拟型忆阻器两端电压及电阻值，最终可以实现光信号对忆阻器阻值的精确调控，从而进一步实现更真实的人工视觉记忆仿生模拟。

公开(公告)号：CN111725401A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010611824.8

申请日：2020-06-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 张磊 ,  汪炼成 ,  司佳威 ,  肖灿城

IPC: H01L45/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L27/12 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  G11C13/04

Abstract: 本发明公开了一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用，包括光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器，光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器共用一个衬底，光电探测器从衬底往上依次包括光电转化层和金属上电极，pn异质结构模拟型忆阻器从衬底往上依次包括金属下电极、p型氧化物薄膜层、n型氧化物薄膜层、金属上电极；光电探测器的金属上电极与pn异质结构模拟型忆阻器的金属上电极是连接在一起。本发明采用模拟型忆阻器(突触器件)与光电探测器复合制备成复合型忆阻器，可以通过不同光激发图像传感器光电导效应，精确调节模拟型忆阻器两端电压及电阻值，最终可以实现光信号对忆阻器阻值的精确调控，从而进一步实现更真实的人工视觉记忆仿生模拟。