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公开(公告)号：CN111825458A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010758153.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明公开了一种高致密碳化硼陶瓷材料及其无压烧结的制备方法，其原料按照质量百分比，由以下组份组成：二硅化铬2～8％，碳化硅4～10％，铝0～2％，聚酰亚胺粉3～8％，炭黑0.5～2.5％，余量为碳化硼。本发明为了提高碳化硼陶瓷的致密度，常添加与碳化硼有较好润湿性的金属单质或其化合物。本发明采用加入二硅化铬和碳化硅作烧结助剂提高其力学性能。二硅化铬可以与碳化硼形成共晶液相实现液相烧结，可显著提升碳化硼致密度。碳化硅还可钉扎在碳化硼晶界处阻碍晶粒长大，提升其力学性能。两种烧结助剂作为第二相粒子与碳化硼基体混合良好，润湿性较好，可以提高陶瓷材料结合面的强度。
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