公开(公告)号：CN114899280B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202210509998.2

申请日：2022-05-11

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  黄子仪 ,  蒋良兴 ,  贾明 ,  张宗良 ,  赵祥云 ,  潘逸宁 ,  陈望献 ,  杨文通

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445

Abstract: 本发明公开一种镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备方法及其在太阳能电池中的应用。本发明基于有机溶剂的溶液法制备铜锌锡硫前驱体，在前驱体薄膜上通过真空工艺制备一层金属或金属化合物，再在薄膜上化学水浴法沉积一层CdS，再经过高温退火冷却就可以制备得到镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜，该方法制备的镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜晶粒尺寸大，无二次相，基于该镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备的太阳能电池短路电流密度提升明显，光电转换效率高。

公开(公告)号：CN114899280A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210509998.2

申请日：2022-05-11

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  黄子仪 ,  蒋良兴 ,  贾明 ,  张宗良 ,  赵祥云 ,  潘逸宁 ,  陈望献 ,  杨文通

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445

Abstract: 本发明公开一种镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备方法及其在太阳能电池中的应用。本发明基于有机溶剂的溶液法制备铜锌锡硫前驱体，在前驱体薄膜上通过真空工艺制备一层金属或金属化合物，再在薄膜上化学水浴法沉积一层CdS，再经过高温退火冷却就可以制备得到镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜，该方法制备的镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜晶粒尺寸大，无二次相，基于该镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备的太阳能电池短路电流密度提升明显，光电转换效率高。

公开(公告)号：CN113351579A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110631562.6

申请日：2021-06-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  章丰庆 ,  蒋良兴 ,  贾明 ,  张宗良 ,  赵祥云 ,  潘逸宁 ,  黄子仪

IPC: B08B7/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种通过等离子清洗处理铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S,Se)4)薄膜表面的方法，该方法包括：(1)在表面处理前对等离子清洗腔室进行空载清洗；(2)放入铜锌锡硫硒薄膜样品，抽真空至腔体达到指定的气压，并保持一定时间；(3)预通入Ar，或者Ar和O2的混合气体，保持一定时间后以指定功率开始表面清洗；(4)表面清洗指定时间后关闭气路抽真空一段时间，然后得到经过表面处理的样品。本发明采用等离子清洗的方式去除铜锌锡硫硒薄膜表面的高导电相，降低样品表面粗糙度，不形成新物相，且避免了溶液对样品的影响和残留，容易通过遮挡等方式在同样条件下进行对比试验。

公开(公告)号：CN113351579B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110631562.6

申请日：2021-06-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  章丰庆 ,  蒋良兴 ,  贾明 ,  张宗良 ,  赵祥云 ,  潘逸宁 ,  黄子仪

IPC: B08B7/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种通过等离子清洗处理铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S,Se)4)薄膜表面的方法，该方法包括：(1)在表面处理前对等离子清洗腔室进行空载清洗；(2)放入铜锌锡硫硒薄膜样品，抽真空至腔体达到指定的气压，并保持一定时间；(3)预通入Ar，或者Ar和O2的混合气体，保持一定时间后以指定功率开始表面清洗；(4)表面清洗指定时间后关闭气路抽真空一段时间，然后得到经过表面处理的样品。本发明采用等离子清洗的方式去除铜锌锡硫硒薄膜表面的高导电相，降低样品表面粗糙度，不形成新物相，且避免了溶液对样品的影响和残留，容易通过遮挡等方式在同样条件下进行对比试验。