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公开(公告)号：CN102323967B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201110263234.1
申请日：2011-09-07
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种FS型IGBT开关瞬态模型的建立方法，通过采用一些新的模型方法与假设条件，建立了一种FS型IGBT的新型开关瞬态仿真模型，该模型根据FS型IGBT的结构特点和工作机理，在FS层内采用了大注入假设和双极输运方程，同时还考虑了基区内空穴复合的影响。本发明所得FS型IGBT开关瞬态模型，比已有模型具有更高的准确度，可以较好的满足FS结构IGBT开关瞬态精确仿真的需要。
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公开(公告)号：CN102368274B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110263259.1
申请日：2011-09-07
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种FS型IGBT瞬态温度特性的电热仿真方法。通过对FS型IGBT开关瞬态工作过程的实际测试，结合IGBT工作机理与半导体物理原理进行分析，确定IGBT瞬态温度特性主要受内部过剩载流子寿命影响，从而建立一种电热仿真方法。通过实际测试提取不同温度下的载流子寿命值，得到载流子寿命与温度的关系表达式；通过经验值公式计算，得到门槛电压、跨导、发射极饱和电流与温度的关系表达式；再将温度相关参数的表达式代入FS型IGBT电流拖尾阶段电流解析表达式，及开关瞬态模型方程组进行计算，得到FS型IGBT在不同温度下的瞬态工作波形。本发明中所述的电热模型仿真方法同时具有参数计算简单与准确度高的优点。
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公开(公告)号：CN102323967A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110263234.1
申请日：2011-09-07
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种FS型IGBT开关瞬态模型的建立方法，通过采用一些新的模型方法与假设条件，建立了一种FS型IGBT的新型开关瞬态仿真模型，该模型根据FS型IGBT的结构特点和工作机理，在FS层内采用了大注入假设和双极输运方程，同时还考虑了基区内空穴复合的影响。本发明所得FS型IGBT开关瞬态模型，比已有模型具有更高的准确度，可以较好的满足FS结构IGBT开关瞬态精确仿真的需要。
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公开(公告)号：CN106569014B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610996707.1
申请日：2016-11-11
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明提供了一种IGBT集电极电压分立测量电路，其特征在于：它包括二极管D1～D2，高输入阻抗差分放大器U1，高输入阻抗运算放大器U2，相同的高精度限流电阻R1和R2，同型号电流源IS1～IS2，其中，电流源IS1通过电阻R1为二极管D1、D2注入电流，电流源IS2通过电阻R2为二极管D2注入电流；二极管D1、D2阴极分别与IGBT集电极、发射极相连，二极管D1、D2阳极分别高输入阻抗差分放大器U1同相端和反向端相连；高输入阻抗运算放大器U2同相端分别连接于电阻RH、RL之间以及电容CH、CL之间，高输入阻抗运算放大器U2，的反向端与输出端连接；门驱动器的输出端经电阻RG与IGBT的基极连接。本发明实现IGBT开关暂态集电极电压的高带宽测量及导通低压高精度测量。
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公开(公告)号：CN106569014A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610996707.1
申请日：2016-11-11
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明提供了一种IGBT集电极电压分立测量电路，其特征在于：它包括二极管D1～D2，高输入阻抗差分放大器U1，高输入阻抗运算放大器U2，相同的高精度限流电阻R1和R2，同型号电流源IS1～IS2，其中，电流源IS1通过电阻R1为二极管D1、D2注入电流，电流源IS2通过电阻R2为二极管D2注入电流；二极管D1、D2阴极分别与IGBT集电极、发射极相连，二极管D1、D2阳极分别高输入阻抗差分放大器U1同相端和反向端相连；高输入阻抗运算放大器U2同相端分别连接于电阻RH、RL之间以及电容CH、CL之间，高输入阻抗运算放大器U2，的反向端与输出端连接；门驱动器的输出端经电阻RG与IGBT的基极连接。本发明实现IGBT开关暂态集电极电压的高带宽测量及导通低压高精度测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104158421B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410172816.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
IPC: H02M7/487
Abstract: 本发明涉及大功率电能变换领域，具体提供了一种二极管钳位型三电平变流器。本发明主要涉及六个功率器件，其中，下钳位二极管位于左上角，上钳位二极管位于左下角，第二IGBT位于第一IGBT左侧，第三IGBT位于第二IGBT正上方第四IGBT位于第三IGBT右侧。本发明将叠层母排分为三层，第一层包括交流输出母排、模块中性点母排；第二层为上钳位二极管连接母排和下钳位二极管连接母排；第三层为模块正母排和模块负母排。本发明通过合理、精确的器件布局及叠层母排设计，可以大幅度地降低换流回路的杂散电感，有效抑制器件的关断过电压，简化关断尖峰吸收电路，在降低成本的同时使结构更加紧凑，功率密度进一步提高。
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公开(公告)号：CN105301409B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510791946.9
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
Abstract: 本发明公开了一种变频器的接地故障检测报警电路，包括故障故障检测电路和报警信号产生电路；故障检测电路包括检测电阻，所述检测电阻一端接地，另一端分别连接第一电容的一端、第二电容的一端以及报警信号产生电路的信号输入端；第一电容的另一端分别与第一限流二极管的负极和第二限流二极管的正极相连；第一限流二极管的正极通过第一电阻与P极相连，第二限流极管的负极通过第二电阻与P极相连；第二电容的另一端分别与第三限流二极管的负极和第四限流二极管的正极相连；第三限流二极管的正极通过第三电阻与N极相连，第四限流二极管的负极通过第四电阻与N极相连。本发明体积小，集成度高并且成本低。
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公开(公告)号：CN104158853A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410352927.1
申请日：2014-07-23
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
Abstract: 本发明属于电力电子变流系统通信控制领域，具体涉及一种基于曼彻斯特码的电力电子变流系统的通信控制构架。本发明采用具有自同步通信特性的曼彻斯特码作为通信平台，包括大功率变流器集中式控制构架及其并联组网，三相分布式链状和多相多电平模块化结构等分布式控制构架，以及直接将所述通信方式应用于诸如数字式IGBT驱动器等电力电子模块通信控制中。本发明具有自同步通信特性，实现方式简单，通信速率高，可靠性好，通信协议制定方便，满足大功率电力电子变流系统的通信控制及其他电力电子模块的通信应用要求。
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公开(公告)号：CN104158421A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410172816.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
IPC: H02M7/487
Abstract: 本发明涉及大功率电能变换领域，具体提供了一种二极管钳位型三电平变流器。本发明主要涉及六个功率器件，其中，下钳位二极管位于左上角，上钳位二极管位于左下角，第二IGBT位于第一IGBT左侧，第三IGBT位于第二IGBT正上方第四IGBT位于第三IGBT右侧。本发明将叠层母排分为三层，第一层包括交流输出母排、模块中性点母排；第二层为上钳位二极管连接母排和下钳位二极管连接母排；第三层为模块正母排和模块负母排。本发明通过合理、精确的器件布局及叠层母排设计，可以大幅度地降低换流回路的杂散电感，有效抑制器件的关断过电压，简化关断尖峰吸收电路，在降低成本的同时使结构更加紧凑，功率密度进一步提高。
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公开(公告)号：CN102623335A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210090286.8
申请日：2012-03-30
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
IPC: H01L21/331 , G06F19/00
Abstract: 一种提高电能变换装置功率密度的方法。本发明公开了一种基于热平衡分析的IGBT参数尽限使用设计方法，根据IGBT热击穿失效机理，采用建立的IGBT电热模型仿真得到在给定参数条件下的导通功耗、开关功耗和断态功耗的温度曲线，相加得到IGBT总功耗的温度曲线，由结-壳稳态热阻得到传热功耗曲线，联立IGBT总功耗曲线和传热功耗曲线进行热平衡分析，两条曲线相切时的结温为IGBT极限结温，对应的参数值即为此电路条件下的尽限使用值。本发明所提出的IGBT参数尽限使用设计方法原理清晰，操作性强，减小了实际测试工作量，做到了参数尽限使用的精确量化，提高了装置的功率密度。
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