制备隧穿氧钝化接触结构的快速退火方法

    公开(公告)号:CN110165017A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910311808.4

    申请日:2019-04-18

    Abstract: 本发明提供一种制备隧穿氧钝化接触结构的快速退火方法,步骤包括:(1)预热:将待退火样品在工艺气体下,升温到150-250℃,保温1-2min;(2)释氢:然后升温到300-600℃,保温3-10min;(3)晶化:再升温到780-1100℃,并保温1-15min;(4)冷却:2-5分钟降温至600℃以下。本发明通过温度控制,使样品有效避免了“爆膜”现象的发生又通过氢钝化提高硅衬底的体寿命,同时薄膜中的掺杂原子也得到充分激活,此外由于退火时间相对较短,掺杂原子向硅衬底扩散程度减弱,有效降低表面俄歇复合,提高隧穿氧钝化接触结构的表面钝化性能,同时具有较低的接触电阻率,另外退火时间缩短有利于提高生产效率,提升产能,节约生产成本。

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