公开(公告)号：CN108754407B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201810650261.6

申请日：2018-06-22

Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所

Inventor： 刘柯钊 ,  钟火平 ,  莫川 ,  张永彬 ,  胡殷 ,  陈志磊 ,  吴艳萍 ,  孙超伦

IPC: C23C8/30

Abstract: 本发明公开了一种铀表面UC1‑xNx固溶体制备方法、其产品及应用，目的在于解决以UC、UN为原材料在1200℃条件下通过固态扩散制备UC‑UN固溶体时，存在工作时间较长，且难以避免金属铀、U2C3、UC2物相的出现的问题。本发明在控制真空室杂质的前提下，在CH4（其它含碳气源，如C2H4、C2H2均可）和N2混合气氛中，以金属铀为基体，利用脉冲激光在铀表面制备UC1‑xNx固溶体。本发明的铀表面UC1‑xNx固溶体中，x值（C与N的比例）能通过改变碳氢化合物气源与N2分压进行调制，N2分压比处于0.7～1区间时，改性层对铀基体将会体现较优异的保护效果。本发明中铀表面UC1‑xNx固溶体物相单一，能作为侯选核燃料UC‑UN材料体系性能研究的原材料，具有较高的应用价值和较好的应用前景。

公开(公告)号：CN105780085B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201610381418.0

申请日：2016-06-02

Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所

Inventor： 蒋驰 ,  刘天伟 ,  吴艳萍 ,  王佳佳 ,  杨磊 ,  王述钢 ,  郎定木

IPC: C25D11/28

Abstract: 本发明公开了一种铀表面微弧氧化的方法，目的在于解决现有用于铀及其合金抗腐蚀的电镀、化学气相沉积、离子镀、等离子体处理等方法存在工艺复杂、生产效率低、涂层致密性差及厚度薄的问题。其包括溶质和溶剂，溶剂为去离子水，溶质包括磷酸钠、氢氧化钠；该电解液中，磷酸钠的浓度为5~15g/L，氢氧化钠的浓度为2~5g/L。本发明通过电解液成分和电参数的优化调整，控制微弧处理电压和时间，能有效地在铀材料表面上获得厚度20微米以下、组织致密的铀氧化膜，提高铀基体的抗腐蚀性能。本发明处理方法简单、效率高、氧化膜致密、膜基结合力高，能有效提高铀材料的抗腐蚀性能，尤其适用于复杂曲面零件涂层制备及批量生产，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN105132982B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510615847.5

申请日：2015-09-24

Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所

Inventor： 帅茂兵 ,  王佳佳 ,  蒋驰 ,  何伟波 ,  陈志磊 ,  周汝垚 ,  吴艳萍 ,  王晓波 ,  郎定木 ,  张延志 ,  蒲朕 ,  王勤国

IPC: C25D9/08

Abstract: 一种铀及其合金表面陶瓷涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)电解液的配置；(2)工件预处理；(3)阴极微弧电沉积。本发明具有设备成本较低、工件预处理简单、阴极微弧电沉积操作简单，可制备不同成分的氧化物陶瓷膜层的特点；同时，本发明制备陶瓷涂层耐腐蚀性能好，膜基结合力好，可重复性好，所需时间短，可实现大批量生产。

公开(公告)号：CN108754407A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810650261.6

申请日：2018-06-22

Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所

Inventor： 刘柯钊 ,  钟火平 ,  莫川 ,  张永彬 ,  胡殷 ,  陈志磊 ,  吴艳萍 ,  孙超伦

IPC: C23C8/30

Abstract: 本发明公开了一种铀表面UC1‑xNx固溶体制备方法、其产品及应用，目的在于解决以UC、UN为原材料在1200℃条件下通过固态扩散制备UC‑UN固溶体时，存在工作时间较长，且难以避免金属铀、U2C3、UC2物相的出现的问题。本发明在控制真空室杂质的前提下，在CH4（其它含碳气源，如C2H4、C2H2均可）和N2混合气氛中，以金属铀为基体，利用脉冲激光在铀表面制备UC1‑xNx固溶体。本发明的铀表面UC1‑xNx固溶体中，x值（C与N的比例）能通过改变碳氢化合物气源与N2分压进行调制，N2分压比处于0.7～1区间时，改性层对铀基体将会体现较优异的保护效果。本发明中铀表面UC1‑xNx固溶体物相单一，能作为侯选核燃料UC‑UN材料体系性能研究的原材料，具有较高的应用价值和较好的应用前景。

公开(公告)号：CN105780085A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610381418.0

申请日：2016-06-02

Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所

Inventor： 蒋驰 ,  刘天伟 ,  吴艳萍 ,  王佳佳 ,  杨磊 ,  王述钢 ,  郎定木

IPC: C25D11/28

CPC classification number: C25D11/28

Abstract: 本发明公开了一种铀表面微弧氧化的方法，目的在于解决现有用于铀及其合金抗腐蚀的电镀、化学气相沉积、离子镀、等离子体处理等方法存在工艺复杂、生产效率低、涂层致密性差及厚度薄的问题。其包括溶质和溶剂，溶剂为去离子水，溶质包括磷酸钠、氢氧化钠；该电解液中，磷酸钠的浓度为5~15g/L，氢氧化钠的浓度为2~5g/L。本发明通过电解液成分和电参数的优化调整，控制微弧处理电压和时间，能有效地在铀材料表面上获得厚度20微米以下、组织致密的铀氧化膜，提高铀基体的抗腐蚀性能。本发明处理方法简单、效率高、氧化膜致密、膜基结合力高，能有效提高铀材料的抗腐蚀性能，尤其适用于复杂曲面零件涂层制备及批量生产，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN105132982A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510615847.5

申请日：2015-09-24

Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所

Inventor： 帅茂兵 ,  王佳佳 ,  蒋驰 ,  何伟波 ,  陈志磊 ,  周汝垚 ,  吴艳萍 ,  王晓波 ,  郎定木 ,  张延志 ,  蒲朕 ,  王勤国

IPC: C25D9/08

Abstract: 一种铀及其合金表面陶瓷涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)电解液的配置；(2)工件预处理；(3)阴极微弧电沉积。本发明具有设备成本较低、工件预处理简单、阴极微弧电沉积操作简单，可制备不同成分的氧化物陶瓷膜层的特点；同时，本发明制备陶瓷涂层耐腐蚀性能好，膜基结合力好，可重复性好，所需时间短，可实现大批量生产。