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公开(公告)号：CN116469842B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310731882.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: H01L23/14 , G01K7/18 , H01L23/10 , H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种低温温度传感器芯片封装结构及封装方法，涉及半导体芯片封装及温度传感器技术领域，其包括封装结构A，封装结构A包括：基板，其上设置有引线焊盘Ⅰ和芯片黏结盘，基板下表面设置有下金属厚膜；低温温度传感器芯片，其上设置有引线焊盘Ⅱ，引线焊盘Ⅰ与引线焊盘Ⅱ之间连接有金属丝；上盖，其上表面镀有上金属厚膜，上盖装配在基板上；导线；封装结构A贴附在铜壳的U型空腔内；U型空腔内填充有填充胶。本发明实现了低温温度传感器芯片与外界环境的物理隔离，能有效屏蔽外界环境对芯片电学性能的干扰，保证低温温度传感器芯片与铜壳的优良热连接，并确保封装后器件保持原来
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公开(公告)号：CN116469842A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310731882.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: H01L23/14 , G01K7/18 , H01L23/10 , H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种低温温度传感器芯片封装结构及封装方法，涉及半导体芯片封装及温度传感器技术领域，其包括封装结构A，封装结构A包括：基板，其上设置有引线焊盘Ⅰ和芯片黏结盘，基板下表面设置有下金属厚膜；低温温度传感器芯片，其上设置有引线焊盘Ⅱ，引线焊盘Ⅰ与引线焊盘Ⅱ之间连接有金属丝；上盖，其上表面镀有上金属厚膜，上盖装配在基板上；导线；封装结构A贴附在铜壳的U型空腔内；U型空腔内填充有填充胶。本发明实现了低温温度传感器芯片与外界环境的物理隔离，能有效屏蔽外界环境对芯片电学性能的干扰，保证低温温度传感器芯片与铜壳的优良热连接，并确保封装后器件保持原来优良的特性参数和使用过程中的可靠性。
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公开(公告)号：CN112165276A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011007978.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种超导小球的磁悬浮支撑定位装置及支撑定位调节方法，包括：类球形腔体，其下端外部套设有环形磁铁和高度调节线圈；类球形腔体侧面外部设置有水平凸起平台；水平凸起平台外围绕设有水平位置调节线圈；类球形腔体上端和下端分别设置有上端凸起平台和下端凸起平台；由于超导小球的抗磁特性，超导小球悬浮在类球形腔体正中央；高度调节线圈用于调节超导小球的竖直高度，水平位置调节线圈用于调节超导小球的水平位置，从而通过高度调节线圈和水平位置调节线圈的附加磁场来补偿装配产生的误差，以满足激光聚变对超导小球定位的苛刻要求。水平位置调节线圈和高度调节线圈连接有PID控制电流源，可以实现对超导小球快速精准的定位。
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公开(公告)号：CN105784183B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610297351.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01K7/22
Abstract: 本发明提供了一种贴片式温度传感器及其制备工艺，属于涉及温度计领域，其包括基底，位于基底上的锗膜，以及位于锗膜上的叉指电极，叉指电极的两个电极各连接一条导线。制备工艺先采用超高背底真空条件，高纯氩气和高纯度锗靶的磁控溅射技术在基底的表面制备高纯锗膜作为温敏材料，又在锗膜的表面制备叉指电极以减小锗膜的电阻，然后在叉指电极引出导线作为温度传感器的输出信号引线。温度传感器呈片状，温度传感器的长度和宽度均不大于1mm，温度传感器的厚度不大于550μm，温度传感器的体积小，因此可直接贴到待测物体表面的任意局部，通过测量锗膜的电阻值，就可用来测量物体表面局部温度的快速变化，温度传感器的测量精确度高且稳定。
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公开(公告)号：CN112798529B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110006417.9
申请日：2021-01-04
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 目前新冠病毒检测技术无法兼顾准确性与快速性，本发明基于增强拉曼光谱实现新冠病毒快速准确识别，提供包括病毒光谱数据库、定制型增强基底、算法软件和移动式光谱仪的集成化检测系统。本发明采用纳米多孔金增强基底对新冠病毒分子进行特异性捕获，提高对病毒拉曼信号的识别能力；采集样品的面扫描拉曼光谱，通过谱聚类提高信噪比；将不同状态新冠病毒S蛋白的拉曼光谱数据强度随机调制后叠加阴性拉曼光谱数据，获得大量可信的不同浓度新冠病毒阳性光谱数据；通过训练残差神经网络模型分析待测样本光谱数据，实现数据高通量处理，智能判定其新冠病毒阴/阳性，完成样本快速准确检测；还提供移动检测及云平台方案，可快速部署，实时监测疫情。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110908022B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911201051.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02B5/02
Abstract: 本发明公开了一种漫反射结构及其制备方法，包括一个超薄金属箔基体，所述超薄金属箔基体被压制成型为三维微结构阵列；该结构具有将平行入射光实现漫反射的功能，防止高强度的镜面反射光对周围环境的影响。另外，在所述超薄金属箔微结构上制备多层功能薄膜，能够实现对入射光的吸收和漫反射功能，从而极大地减弱反射光的强度；该结构成本低廉、工艺简单，且质量轻。
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公开(公告)号：CN110908022A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911201051.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02B5/02
Abstract: 本发明公开了一种漫反射结构及其制备方法，包括一个超薄金属箔基体，所述超薄金属箔基体被压制成型为三维微结构阵列；该结构具有将平行入射光实现漫反射的功能，防止高强度的镜面反射光对周围环境的影响。另外，在所述超薄金属箔微结构上制备多层功能薄膜，能够实现对入射光的吸收和漫反射功能，从而极大地减弱反射光的强度；该结构成本低廉、工艺简单，且质量轻。
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公开(公告)号：CN105784183A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610297351.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01K7/22
CPC classification number: G01K7/223
Abstract: 本发明提供了一种贴片式温度传感器及其制备工艺，属于涉及温度计领域，其包括基底，位于基底上的锗膜，以及位于锗膜上的叉指电极，叉指电极的两个电极各连接一条导线。制备工艺先采用超高背底真空条件，高纯氩气和高纯度锗靶的磁控溅射技术在基底的表面制备高纯锗膜作为温敏材料，又在锗膜的表面制备叉指电极以减小锗膜的电阻，然后在叉指电极引出导线作为温度传感器的输出信号引线。温度传感器呈片状，温度传感器的长度和宽度均不大于1mm，温度传感器的厚度不大于550μm，温度传感器的体积小，因此可直接贴到待测物体表面的任意局部，通过测量锗膜的电阻值，就可用来测量物体表面局部温度的快速变化，温度传感器的测量精确度高且稳定。
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公开(公告)号：CN115684273A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211413947.6
申请日：2022-11-11
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种高温超高精密电输运测试系统及测试方法，属于材料电学性能测试的技术领域，将待测样品放置在真空腔体内的样品台上，并将待测样品接入测试电路中；开启真空系统的抽真空单元，通过抽真空单元对真空腔体内抽真空；关闭真空系统中的抽真空单元，开启真空系统中的冷吸附泵，通过冷吸附泵将真空腔体维持高真空状态；开启测试系统，根据测试需求设置测试温度，并测试待测样品的电学性能，以达到在高真空环境下的测试结果达到10fA量级且测试结果的数据稳定可靠，同时，能实现测试不同温度点以及变温条件下高阻样品电学性能的目的。
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公开(公告)号：CN112165276B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202011007978.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种超导小球的磁悬浮支撑定位装置及支撑定位调节方法，包括：类球形腔体，其下端外部套设有环形磁铁和高度调节线圈；类球形腔体侧面外部设置有水平凸起平台；水平凸起平台外围绕设有水平位置调节线圈；类球形腔体上端和下端分别设置有上端凸起平台和下端凸起平台；由于超导小球的抗磁特性，超导小球悬浮在类球形腔体正中央；高度调节线圈用于调节超导小球的竖直高度，水平位置调节线圈用于调节超导小球的水平位置，从而通过高度调节线圈和水平位置调节线圈的附加磁场来补偿装配产生的误差，以满足激光聚变对超导小球定位的苛刻要求。水平位置调节线圈和高度调节线圈连接有PID控制电流源，可以实现对超导小球快速精准的定位。
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