公开(公告)号：CN115101357B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202210666626.0

申请日：2022-06-14

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 王朝阳 ,  韩文静 ,  袁磊 ,  钟铭龙 ,  李佳 ,  黄传群

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/32 ,  H01G11/02 ,  G01N27/30 ,  G01N27/26

Abstract: 本发明公开了一种三元镍钴钨碲化物复合材料的制备方法及应用，包括：将生长在碳布上具有氧缺陷的氧化钨纳米片CC‑WO3‑x与碲粉在氢氩混合气氛和一定温度下发生化学反应，得到在碳布上生长的CC‑WTe2；将得到的CC‑WTe2在三电极体系中通过电化学沉积，得到CC‑WTe2‑Ni‑Co三元复合材料，其中，在三电极体系中，电解液为Ni(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O的混合溶液，工作电极为CC‑WTe2，参比电极为Ag/AgCl电极，对电极为Pt片电极。制备的CWNC‑8电极具有优异的电化学性能，在电流密度为1A g‑1时，比电容739F g‑1，在经5000次循环后电容保持率为84％，与CC‑Ni‑Co电极相比提高了12％。同时在

公开(公告)号：CN115101357A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210666626.0

申请日：2022-06-14

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 王朝阳 ,  韩文静 ,  袁磊 ,  钟铭龙 ,  李佳 ,  黄传群

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/32 ,  H01G11/02 ,  G01N27/30 ,  G01N27/26

Abstract: 本发明公开了一种三元镍钴钨碲化物复合材料的制备方法及应用，包括：将生长在碳布上具有氧缺陷的氧化钨纳米片CC‑WO3‑x与碲粉在氢氩混合气氛和一定温度下发生化学反应，得到在碳布上生长的CC‑WTe2；将得到的CC‑WTe2在三电极体系中通过电化学沉积，得到CC‑WTe2‑Ni‑Co三元复合材料，其中，在三电极体系中，电解液为Ni(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O的混合溶液，工作电极为CC‑WTe2，参比电极为Ag/AgCl电极，对电极为Pt片电极。制备的CWNC‑8电极具有优异的电化学性能，在电流密度为1A g‑1时，比电容739F g‑1，在经5000次循环后电容保持率为84％，与CC‑Ni‑Co电极相比提高了12％。同时在功率密度为3000W kg‑1时，仍保留了23.4W h kg‑1的能量密度。