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公开(公告)号：CN107886820B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201711132250.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成式双光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括双波长脉冲激光器、双光路衰减模块、显微观察模块、测试与存储模块四个部分，该系统可实现532nm和1064nm双波长同时输出，既能自由灵活地切换两种波长的激光，又能利用二者的合束光对半导体器件的电离效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，相比单波长模拟系统调节更加方便、受激光器波动影响更小、适用范围更加广泛。
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公开(公告)号：CN106771952B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710024954.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN105807305B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610325219.8
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01T1/00
Abstract: 本发明公开了一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统，该系统包括双波长脉冲激光产生系统、脉冲激光双光路能量衰减与调节系统、测试与控制系统；本发明可同时产生532nm和1064nm的脉冲激光，并引入到双光路衰减和调节系统，两种波长激光在半导体器件中穿透深度不同，并通过物镜或扩束镜进行光斑聚焦或扩束，可对半导体器件灵活进行灵敏层和灵敏位置定位，有效弥补了现有单波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统的不足，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN105388353B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510836301.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统，该测试系统包括SOI晶体管结构测试单元和至少两个噪声测试电阻，噪声测试电阻与SOI晶体管结构测试单元串联，SOI晶体管结构测试单元的两端至少有一个噪声测试电阻；本发明利用大规模并联SOI晶体管方式，放大辐射效应下产生的光电流，通过对称放置的电阻导线同步测量实验室的电磁及环境噪声；通过增加可测光电流和对实验室电磁及环境噪声的提取，可通过测得的光电流推导出单个SOI晶体管的辐射效应光电流，研究晶体管的辐射效应；为研究半导体辐射效应、有针对性的进行设计提供有效手段。
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公开(公告)号：CN107063481A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710324765.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01J11/00
CPC classification number: G01J11/00
Abstract: 本发明针对宽禁带半导体量子点难以在光学显微镜下辨识并测量其荧光的二阶相关性的问题，提出了联合共聚焦显微镜，电动平移载物台，光谱仪及单光子探测器，构建成一套方便、易实施的测量宽禁带半导体量子点荧光的二阶相关性的系统，可以实现二阶相关性的二维平面内扫描测量，能够一次性测量整个衬底上所有量子点各自的荧光二阶相关性结果，有效解决量子点在光学显微镜下难以寻找和定位的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106771952A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710024954.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2642
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN105891694A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610288215.7
申请日：2016-05-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明涉及一种硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法，该方法的步骤为：1）选取同批次同型号的硅基半导体晶体管至少三个，进行开封预处理，作为待测半导体晶体管；2）测试待测半导体晶体管功能正常；3）焊接测试电路板，将待测半导体晶体管接入测试电路；4）将激光光束照射到待测晶体管芯片上；5）调节激光光束能量，测试待测晶体管的响应并由示波器记录；本发明提供了一种可在实验室条件下用于半导体晶体管辐射剂量率效应的激光模拟试验方法，有效缩短了抗辐射加固设计周期，降低了试验成本，为研究硅基半导体器件的辐射剂量率效应提供了一种有力手段，其试验装置和试验方法的推广具有重要价值。
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公开(公告)号：CN105807305A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610325219.8
申请日：2016-05-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01T1/00
Abstract: 本发明公开了一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统，该系统包括双波长脉冲激光产生系统、脉冲激光双光路能量衰减与调节系统、测试与控制系统；本发明可同时产生532nm和1064nm的脉冲激光，并引入到双光路衰减和调节系统，两种波长激光在半导体器件中穿透深度不同，并通过物镜或扩束镜进行光斑聚焦或扩束，可对半导体器件灵活进行灵敏层和灵敏位置定位，有效弥补了现有单波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统的不足，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN105471586A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510912833.X
申请日：2015-12-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: H04L9/3278 , B05D7/24 , H04L9/0852
Abstract: 本发明公开了一种自支撑物理不可克隆钥匙及其制备方法，其制备方法是：通过在基底上生长脱膜剂，在脱膜剂层上生长由无序微纳米颗粒嵌埋于透明介质形成复合膜；然后，采用溶剂将脱膜剂溶掉，再将溶剂中脱离下来的复合膜取出干燥即得到由无序微纳米颗粒嵌埋于透明介质中构成的自支撑物理不可克隆钥匙；本自支撑物理不可克隆钥匙，具有高稳定性和高可靠性，适合于做自支撑结构；本制备方法成本低、简便易行，具备实用性；获得的自支撑物理不可克隆钥匙体积小，不受基底限制，既可转移到各种基底上使用，也可镶嵌进传统安全认证卡片中或可直接应用于高度集成化的量子认证与量子密钥分配微系统中。
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公开(公告)号：CN107886823B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201711132249.8
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种优化集成式单光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括脉冲激光产生与衰减模块、显微成像与能量监测模块、测试与控制模块三个部分。该系统可自由切换266nm、532nm和1064nm三个波长对辐射电离效应进行单路激光模拟，可灵活快捷地在实验室条件下对半导体器件辐射电离效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，具有方便、快捷、准确、安全性高等特点。该发明有效降低了试验成本，提高了试验效率，缩短了抗辐射加固的设计周期。
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