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公开(公告)号：CN111830387A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010719442.7
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明提供的一种瞬态二极管电流冲击试验控制系统；包括PLC、VC测试仪、继电器模块、冲击板、译码板，PLC、VC测试仪、继电器模块、冲击板、译码板均通过DC电源供电；本发明使用CD4514CE译码芯片且通过达林顿管扩展使冲击板能够实现64个工位实验的切换，并且通过PLC控制实验过程，实验效率大大增加。
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公开(公告)号：CN107219728B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710643122.6
申请日：2017-07-31
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 一种防止硅片翘片的光刻方法，包括以下步骤，硅片清洗→匀正面胶→前烘→曝光→显影→烘干→硅片正面边缘匀胶→硅片背面匀胶→坚膜→腐蚀。通过在光刻工序显影后在图形面的周围匀上一圈光刻胶，使周围涂上胶的一圈位置不被腐蚀，这样硅片边缘不会有小缺口，不会对刮涂玻璃浆造成操作上的麻烦，同时由于硅片边缘没被腐蚀，硅片的机械强度得到一定程度的增加，而这一圈没有被腐蚀到的表面能减小玻璃成型时的玻璃收缩应力对硅片形状的影响，玻璃成型后硅片没有明显形变，表面平整，后续工序的操作不易产生碎片。
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公开(公告)号：CN107219728A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710643122.6
申请日：2017-07-31
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 一种防止硅片翘片的光刻方法，包括以下步骤，硅片清洗→匀正面胶→前烘→曝光→显影→烘干→硅片正面边缘匀胶→硅片背面匀胶→坚膜→腐蚀。通过在光刻工序显影后在图形面的周围匀上一圈光刻胶，使周围涂上胶的一圈位置不被腐蚀，这样硅片边缘不会有小缺口，不会对刮涂玻璃浆造成操作上的麻烦，同时由于硅片边缘没被腐蚀，硅片的机械强度得到一定程度的增加，而这一圈没有被腐蚀到的表面能减小玻璃成型时的玻璃收缩应力对硅片形状的影响，玻璃成型后硅片没有明显形变，表面平整，后续工序的操作不易产生碎片。
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公开(公告)号：CN210175517U
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201920833375.4
申请日：2019-06-04
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本实用新型公开了一种用于二极管和三极管的包装管，属于晶体管包装管技术领域，其特征在于：包括包装管本体(1)和契合套(2)，包装管本体(1)的内部为中空结构，多个契合套(2)活动安装于包装管本体(1)的中空结构内，包装管本体(1)两端安装有使其两端闭合和对契合套(2)限位的闭合限位组件(3)。产品(5)与契合套(2)契合后依次均匀排列的存放在包装管本体(1)中空的内部结构，在闭合限位组件(3)和两契合套(2)间对产品间隔的作用下，包装管本体(1)实现对产品(5)的牢固封装，避免了产品(5)在运输的过程中发生碰撞产生磨损。
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