公开(公告)号：CN115377070A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210552207.4

申请日：2022-05-20

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) ,  中国振华电子集团有限公司

Inventor： 易波 ,  李欢 ,  石文坤 ,  向勇 ,  周嵘 ,  孟繁新 ,  杨占民 ,  李歆玮

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供的一种低反向导通压降了SiC MOSFET器件，包括其元胞；元胞包括N型耐压层、与N型耐压层的背面接触的N型缓冲、与N型缓冲的背面接触的衬底、与衬底的背面接触的漏极金属层，所述N型耐压层的正面与基区接触；所述元胞的正面还加工有n个深槽将基区分割，所述深槽内的源极金属与源极金属层接触。本发明屏蔽区与连通区连接形成接地的电气接触，从而避免了需要采用终端区接地带来的问题；并且可以调节沟槽数目来调节沟道密度，灵活地调节器件的反向导通压降和比导通电阻。

公开(公告)号：CN218351473U

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202221230477.5

申请日：2022-05-20

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) ,  中国振华电子集团有限公司

Inventor： 易波 ,  李欢 ,  石文坤 ,  向勇 ,  周嵘 ,  孟繁新 ,  杨占民 ,  李歆玮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型提供的一种反向导通压降的SiC MOSFET器件，包括其元胞；元胞包括N型耐压层、与N型耐压层的背面接触的N型缓冲、与N型缓冲的背面接触的衬底、与衬底的背面接触的漏极金属层，所述N型耐压层的正面与基区接触；所述元胞的正面还加工有n个深槽将基区分割，所述深槽内的源极金属与源极金属层接触。本实用新型屏蔽区与连通区连接形成接地的电气接触，从而避免了需要采用终端区接地带来的问题；并且可以调节沟槽数目来调节沟道密度，灵活地调节器件的反向导通压降和比导通电阻。