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公开(公告)号：CN119064768B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411570987.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种倒装芯片互连可靠性测试方法和计算机设备，所述方法针对需进行可靠性测试评估的倒装芯片制作测试芯片，测试芯片采用与实际芯片相同的封装工艺，通过多路独立的菊花链式焊点结构实现芯片与基板互连，通过芯片端和基板端内置测温元件实现焊点温度监测，通过芯片端和基板端内置加热元件实现焊点温度应力加载，通过外置电流应力加载实现芯片的温度控制以及互连焊点的电流加载进而可实现高温、功率循环、电迁移以及热迁移等可靠性测试。本发明能够有效解决传统方案中需搭载多套温度控制设备、需大量测试样品，热迁移测试过程中热梯度差难以量化评估，以及电迁移测试过程焊点实际温度高于温度控制设备设置的温度等问题。
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公开(公告)号：CN113514492B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110616270.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种测量界面热阻的方法和装置。包括：获取第一材料和第二材料的本征热阻、测量端和所述第一材料的接触热阻、所述测量端和所述第二材料的接触热阻，所述测量端包括热端和冷端；获取第一热阻和第二热阻；根据所述本征热阻、所述接触热阻、所述第一热阻和所述第二热阻，确定第一材料和第二材料之间的界面热阻。本公开测量结果准确可靠，并且，可以不需要在材料的内部开孔，不影响材料本身的性能；热电偶和热流计的均可安装于统一位置，如测量端，不会因测量材料的不同而改变位置。
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公开(公告)号：CN114678280A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210158796.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/48 , H01L23/473 , B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种芯片微流道制备方法。该芯片微流道制备方法，包括如下步骤：利用激光器在芯片内部按照预设路径内雕出损伤结构；利用氟化氢溶液刻蚀所述损伤结构，在所述芯片内形成沿所述预设路径布置的微流道。该方法能够直接在芯片内部加工微流道，有效避免需要两个芯片键合实现微流道闭合的问题，工艺简单，且不存在芯片键合界面，提高了微流道结构对冷却液的抗腐蚀能力，保证了芯片微流道的可靠性。
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公开(公告)号：CN114563675A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
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公开(公告)号：CN114035013A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111215184.X
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种缺陷诊断方法和缺陷诊断装置，缺陷诊断方法包括构建数据模型，数据模型包括已知缺陷信息和与已知缺陷信息对应的仿真特征参数；获取待测三维无源器件的特征参数；基于已知缺陷信息、仿真特征参数和待测三维无源器件的特征参数，获得待测三维无源器件的缺陷信息。通过数据模型构建模块构建数据模型，通过数据采集模块采集待测三维无源器件的特征参数，再搭配数据处理模块，获得待测三维无源器件的缺陷信息，可以同时诊断多缺陷和多故障；通过本发明的缺陷诊断方法和缺陷诊断装置，批量化诊断缺陷类型、缺陷尺寸和缺陷位置，解决复合缺陷检测与诊断的数据量大、操作困难问题，加快生产厂家的可靠性检测效率、检测精度和检测准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113670975A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110764063.4
申请日：2021-07-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请涉及硅通孔技术领域，具体公开一种硅通孔复合结构的测试系统及测试方法。系统包括温度变化箱、真空箱、温度监控装置和观测装置，温度变化箱内部温度循环变化；真空箱设置于温度变化箱内，真空箱内用于放置硅通孔复合结构的待测样品；温度监控装置连接真空箱和温度变化箱，用于监测待测样品的温度变化范围，并控制温度变化箱调节内部温度的循环变化状态，以使待测样品的温度在目标温度变化范围内变化；观测装置用于当待测样品的温度在目标温度变化范围内循环变化时，对待测样品的界面状态进行观测。确保待测样品可以在目标温度变化范围内变化，提高测试的准确性。
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公开(公告)号：CN113030687A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110197136.6
申请日：2021-02-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明涉及微纳器件测试技术领域，公开了一种性能测试方法，包括在不同的温度环境下对待测样品进行测试，获取待测样品的谐振频率温度系数；将待测样品固定于红外成像设备上，将红外成像设备加热至预设温度；向待测样品施加预设输入功率，使用红外成像设备对待测样品进行成像测试，获取待测样品在预设输入功率条件下的表面温度场信息；保持待测样品上施加的预设输入功率不变的情况下，测试获取待测样品的特征频率；根据谐振频率温度系数和特征频率，计算获取待测样品在预设输入功率条件下的等效温升。通过获取在预设功率负载下待测样品的表面温度场信息以及等效温升值，为相关产品的设计、可靠性评价及分析、失效机理建模等工作提供可靠的支撑。
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公开(公告)号：CN114563675B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
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公开(公告)号：CN118999824B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411464870.4
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种反射率热成像测试方法和计算机设备，所述方法采用连续波段光源为待测试器件的待测试区域提供入射光，通过热反射校准系数测试步骤获取不同波段光源下器件待测区域所有位置的热反射校准系数；通过反射率测试步骤获取不同波段光源下器件待测区域所有位置的反射率；通过数据处理步骤基于待测试器件所有位置的最大热反射校准系数，以及所有位置在热反射校准系数最大情况下对应波段光源下测试的反射率，计算获得待测试器件所有位置的温度数据，并将温度数据组合形成温度分布。本发明能够解决现有技术中存在的测试时间长、部分区域因材料对光源响应较差而导致温度测试结果出现极大偏离的问题，提高反射率热成像测试的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN114371384B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202111575063.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种电迁移测试电路，包括测试模块、数据采集模块及控制模块，其中，测试模块用于根据输出控制信号对待测样品施加预设参数的测试信号；数据采集模块与测试模块连接，用于根据开关动作信号动作，控制待测样品接入对应的测试回路，并采集待测样品的电迁移试验参数信息；控制模块，与测试模块及数据采集模块均连接，用于根据接收的测试触发信号生成输出控制信号，以控制测试模块生成测试信号；及/或根据测试触发信号生成开关动作信号，以控制数据采集模块动作，使待测样品接入对应的测试回路。上述测试电路中，基于控制模块与数据采集模块生成待测样品的寿命预测方程，能相对准确的评估样品使用寿命，大大提高了测试效率。
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