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公开(公告)号：CN119438644A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411619070.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种COS激光芯片测试夹具总成以及测试系统。COS激光芯片测试夹具总成包括承载底座、绝缘压板、导电组件以及导热组件。激光芯片可拆卸连接于所述绝缘压板以及所述承载底座之间。至少部分绝缘压板、导电组件以及承载底座沿承载底座的厚度方向上依次重叠设置。激光芯片通过导电组件与外部的电源组件电连接。激光芯片通过所述导热组件与所述承载底座间隔设置。导热组件能够被控制形成热端和冷端。冷端用于与激光芯片的热沉组件配合进行热交换以对激光芯片进行预冷处理。热端用于与承载底座抵接配合进行热交换以使通过承载底座进行散热。本申请中的COS激光芯片测试夹具总成有利于提高测试过程中的芯片散热效果问题。
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公开(公告)号：CN118858094A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410656704.8
申请日：2024-05-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N15/08
Abstract: 本申请膜结构渗透率测试技术领域，尤其是涉及膜结构材料高压渗水率测试方法。该方法包括如下步骤：步骤一、建立渗透率变化系数数学模型公式；步骤二、制备若干个测试样品进行分组；步骤三、压力测试；步骤四、根据渗透率变化系数数学模型公式计算得到渗水率值。1.本发明通过较低压力，如中压范围的测试数据，可以直接推断出膜结构材质在液态高压环境(10
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公开(公告)号：CN110987147B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201911100276.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种光纤水听器阵列光程差测试设备、方法及装置。其中，光纤水听器阵列光程差测试设备通过光耦合器将光脉冲发生器发出的光脉冲信号分为两路，一路传输给参考干涉仪，另一路传输给待测光纤水听器阵列。进入参考干涉仪的第一入射光脉冲信号在参考干涉仪中形成干涉光信号。进入待测光纤水听器阵列的第二入射光脉冲信号在内部时分器件以及干涉光路的作用下，第二入射光脉冲信号将被延时为第一出射光脉冲信号和第二出射光脉冲信号，而无法发生拍频干涉。目前，对于实现对光程差的测试需要根据拍频干涉以得到光程差的结果。本申请使得第一出射光脉冲信号和第二出射光脉冲信号在补偿干涉仪中可以发生拍频干涉。
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公开(公告)号：CN119804159A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510295948.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种声敏元件可靠性的检测方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取待测声敏元件应用方式和最大压力值；将待测声敏元件置于试验设备中，并与完成预热和校准后的检测设备通过光纤进行连接；在待测声敏元件与检测设备之间符合预设连接条件的情况下，对试验设备进行排气处理；基于应用方式和最大压力值，改变试验设备中的压力，通过检测设备对待测声敏元件进行多次检测，得到信号形式的光路损耗分布数据；基于光路损耗分布数据，获取应力分布数据；在光路损耗分布数据和应力分布数据符合预设检测条件的情况下，待测声敏元件通过检测。采用本方法能够提高声敏元件可靠性检测的准确性。
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公开(公告)号：CN115036390A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210434537.3
申请日：2022-04-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供了一种焊点柱的制备方法，其包括如下步骤：在具有焊盘的基板上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的第一光刻胶层，露出焊盘；在基板上沉积覆盖第一光刻胶层与焊盘的打底金属层；在基板上涂覆第二光刻胶层，第二光刻胶层的厚度比第一光刻胶层厚，对第二光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的部分第二光刻胶层；在焊盘上的打底金属层上电镀焊点金属；去除第一光刻胶层与第二光刻胶层，使第二光刻胶层上的焊点金属随第二光刻胶层脱落，焊盘上的焊点金属形成焊点柱。该制备方法通过各步骤的彼此搭配，实现了通过电镀的方式在焊盘表面制备焊点柱，能够有效减少金属源的消耗量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115014496A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210429434.8
申请日：2022-04-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种光纤水听器阵列的可靠性确定方法、装置和计算机设备，所述方法包括：根据获取的待分析光纤水听器阵列的阵列规模信息和复用方式，确定待分析光纤水听器阵列对应的基础节点的类型和各类型的基础节点的节点数目，进而得到待分析光纤水听器阵列对应的基础阵列；基于基础阵列的第一理论寿命指标和待分析光纤水听器阵列的第二理论寿命指标，得到指标映射系数；获取基础阵列实际试验得到的第一试验寿命指标，基于第一试验寿命指标和指标映射系数，得到待分析光纤水听器阵列的第二试验寿命指标，基于第二试验寿命指标，确定针对待分析光纤水听器阵列的可靠性。该方法可提高对光纤水听器阵列的可靠性分析结果的准确性。
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公开(公告)号：CN114720165A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210197053.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种光纤水听器封装检测方法、装置、系统、计算机设备，所述方法包括：确定光纤水听器的第一待测样本处于第一检测环境中的第一试验时间；实时监测所述第一待测样本的第一光路数据，根据所述第一光路数据获取所述第一待测样本在所述第一试验时间内的第一光路损耗数据；确定所述第一待测样本中所述第一光路损耗数据小于第一阈值的第二待测样本；实时监测所述第二待测样本处于第二检测环境的第二光路数据，根据所述第二光路数据获取所述第二待测样本在第二试验时间内的第二光路损耗数据；将所述第二待测样本中所述第二光路损耗数据小于第二阈值的第二待测样本记录为合格样本。本公开可以准确评价长期海水环境下光纤水听器封装退化情况。
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公开(公告)号：CN110987147A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911100276.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种光纤水听器阵列光程差测试设备、方法及装置。其中，光纤水听器阵列光程差测试设备通过光耦合器将光脉冲发生器发出的光脉冲信号分为两路，一路传输给参考干涉仪，另一路传输给待测光纤水听器阵列。进入参考干涉仪的第一入射光脉冲信号在参考干涉仪中形成干涉光信号。进入待测光纤水听器阵列的第二入射光脉冲信号在内部时分器件以及干涉光路的作用下，第二入射光脉冲信号将被延时为第一出射光脉冲信号和第二出射光脉冲信号，而无法发生拍频干涉。目前，对于实现对光程差的测试需要根据拍频干涉以得到光程差的结果。本申请使得第一出射光脉冲信号和第二出射光脉冲信号在补偿干涉仪中可以发生拍频干涉。
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公开(公告)号：CN119573895A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411894280.5
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01J5/90
Abstract: 本申请涉及一种红外探测器NETD不确定度计算方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：首先，在满足测试条件的情况下，获取目标红外设备上各像元的测试温度、响应电压和噪声电压，然后，根据各像元的测试温度、响应电压和噪声电压确定各像元的噪声等效温差的扩展不确定度，最后，根据各像元的噪声等效温差的扩展不确定度，确定用于表征目标红外设备的噪声等效温差的可信程度的总体噪声等效温差的扩展不确定度。采用本方法能够实现对目标红外设备的噪声等效温差的扩展不确定度的计算。
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公开(公告)号：CN119438857A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411476771.8
申请日：2024-10-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种寿命预测方法、装置和计算机设备，该方法包括在预设测试条件下对集成电流进行测试，获取集成电路中多个目标器件在测试过程中的电应力参数，然后根据测试条件的条件参数和各目标器件的电应力参数，分别确定各目标器件的退化参数，以从多个目标器件中确定出该集成电路的薄弱器件，最后即可基于短板效应，根据薄弱器件的寿命确定集成电路的寿命。薄弱器件为集成电路中最易损坏的器件，因此薄弱器件的寿命能够真实有效地反映出集成电路的实际寿命，本申请基于集成电路运行过程中的各目标器件的实际运行参数找到集成电路的薄弱器件，根据薄弱器件的寿命确定集成电路的寿命，能够对集成电路的寿命进行准确预测。
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