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公开(公告)号：CN115902574A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211045747.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种缺陷检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：获取目标芯片在预设工作条件下的寿命变化信息；根据预先建立的映射关系和所述寿命变化信息，确定所述目标芯片对应的目标空洞面积比，并将所述目标空洞面积比作为缺陷检测结果；其中，所述映射关系包括多个工作条件下，不同空洞面积比对应的寿命时间变化情况，所述空洞面积比用于表征空洞面积与通孔面积的比值。采用本方法能够确定整批芯片的通孔填充效果，从而对整批芯片作出接收或拒收判断。
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公开(公告)号：CN111060794B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201911134386.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种热载流子注入效应的寿命评估方法、装置和计算机设备，其中一种热载流子注入效应的寿命评估方法，可针对SOI器件的自热效应，降低环境温度来进行热载流子注入试验，使得SOI器件在进行热载流子注入试验时的工作温度可以保持在目标温度，进而在进行寿命评估时能够消除自热效应对待测SOI器件热载流子注入效应的影响，提高了输出的寿命时间的可靠性和准确性，对SOI器件的可靠性寿命时间评估方法进行修正与应用，有助于提高工艺加工过程中的SOI器件的热载流子可靠性。
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公开(公告)号：CN119492980A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411660321.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种键合引线的可靠性评估方法，包括：针对基于预设贮存条件进行贮存的多种不同的键合引线，从多种不同的键合引线中选取预设数量的键合引线，作为样品键合引线，并获取每个样品键合引线的贮存结果数据；对每种键合引线的焊点处进行剖面切割后再进行剖面分析，获得每种键合引线的剖面分析数据；基于每个样品键合引线的贮存结果数据和每种键合引线的剖面分析数据，确定键合引线的可靠性评估结果。本申请可以对键合引线的可靠性进行评估，以保障集成电路芯片具有正常的信号传输性能和电气性能，提升集成电路芯片的生产效果。
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公开(公告)号：CN112782558A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011591485.8
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种集成电路失效率获取方法，包括：确定集成电路的至少一种本征失效机制；根据至少一种本征失效机制，在待测样品上形成与各本征失效机制相应的测试结构；根据至少一种本征失效机制，确定与各本征失效机制相应的试验方案，试验方案包括多组不同的应力条件；根据试验方案，对多个待测样品上的相应测试结构进行寿命测试试验；根据寿命测试试验，获取与各本征失效机制相应的失效物理模型；根据与各本征失效机制相应的失效物理模型，获取集成电路的失效率。本申请能够有效降低获取集成电路失效率的成本有效提高获取的集成电路失效率的准确性。
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公开(公告)号：CN119830816A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510308756.0
申请日：2025-03-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/30 , G06F17/16 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14 , G06F119/16
Abstract: 本申请涉及汽车芯片技术领域，公开了一种基于多失效机理竞争失效的汽车芯片可靠性评估方法，该方法包括开展单失效机理评估试验得到加速因子及失效率、构建加速因子矩阵和失效率矩阵计算占比系数矩阵、构建多机理竞争失效矩阵计算综合失效率及平均寿命时间以评估其可靠性。本申请，实现了全面考虑多种失效机理的竞争关系，通过科学合理的试验和计算方法，能够准确评估汽车芯片在复杂应力环境下的综合失效率和平均寿命时间，有效克服了传统单独评估各失效机理的局限性，为汽车芯片可靠性评估提供了更精准、更符合实际工况的评估手段，满足汽车行业对芯片可靠性评估的严苛要求，提升了汽车芯片在设计、生产及应用环节的可靠性保障水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115579352A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211023143.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/544 , G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种电迁移寿命时间测试方法、测试组件、计算机设备、介质。方法包括：在多组不同测试温度下，获取多根预设金属互连线的第一中位失效时间；针对每组不同测试温度，根据不同测试温度下多根预设金属互连线的第一中位失效时间，计算各组第一目标测试温度对应的激活能；第一目标测试温度为基于不同测试温度所计算出的；根据各组第一目标测试温度对应的激活能，预测工作温度下电迁移效应的目标激活能，根据目标激活能计算待测金属互连线的寿命；测试温度高于工作温度。采用本方法能够对激活能参数进行修正，准确地计算待测金属互连线在工作温度下的寿命。
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公开(公告)号：CN111060794A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911134386.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种热载流子注入效应的寿命评估方法、装置和计算机设备，其中一种热载流子注入效应的寿命评估方法，可针对SOI器件的自热效应，降低环境温度来进行热载流子注入试验，使得SOI器件在进行热载流子注入试验时的工作温度可以保持在目标温度，进而在进行寿命评估时能够消除自热效应对待测SOI器件热载流子注入效应的影响，提高了输出的寿命时间的可靠性和准确性，对SOI器件的可靠性寿命时间评估方法进行修正与应用，有助于提高工艺加工过程中的SOI器件的热载流子可靠性。
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公开(公告)号：CN109613016A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811477411.4
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片缺陷检测设备及方法，所述设备包括：检测平台，待检测的半导体芯片固定安装于所述检测平台；激光发生器，所述激光发生器设置于所述检测平台上方，用于产生照射于所述半导体芯片表面的激光，所述激光发生器与所述检测平台之间能够发生相对位移，以使所述激光能够以扫描的方式照射于所述半导体芯片表面；电源，所述电源与所述半导体芯片连接，为所述半导体芯片供电；示波器，所述示波器与所述半导体芯片连接，用于检测并显示所述半导体芯片中所产生的输出电压和/或输出电流。本发明能够方便快捷地确定出待检测的半导体芯片内是否存在有潜在缺陷。
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公开(公告)号：CN119224519A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411608436.9
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及器件半导体可靠性技术领域，特别是涉及一种可恢复缺陷填充动态测量方法、装置和计算机设备。方法包括：基于应力电压施加时间向初始器件施加应力电压，得到退化器件；其中，退化器件是初始器件因持续施加应力电压而发生永久缺陷退化后的器件；对退化器件进行可恢复缺陷释放，得到释放后的退化器件；对释放后的退化器件进行可恢复缺陷的填充动态测量，得到初始器件对应的可恢复缺陷填充动态。本申请排除了永久缺陷的充电对可恢复缺陷填充动态的影响，实现准确获取初始器件对应的可恢复缺陷填充动态的，为NBTI退化机理的研究和模型构建的发展均起到重要的支撑作用。
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公开(公告)号：CN117630323A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311646425.5
申请日：2023-12-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N33/207 , G01N25/00 , G01N3/08
Abstract: 本申请涉及一种金铝键合引线工艺的可靠性评价方法。该金铝键合引线工艺的可靠性评价方法包括：提供键合引线焊点样品；将键合引线焊点样品进行第一组试验，第一组试验包括高温储存试验,以使得键合引线焊点样品内形成金铝化合物层；将第一组试验后的键合引线焊点样品进行第二组试验，第二组试验包括剖面分析,并基于剖面分析的结果对金铝键合引线工艺进行可靠性评估。本申请解决了现有技术中存在的缺乏对键合引线进行准确有效的可靠性分析的方法的问题，实现了对金铝键合引线工艺可靠性的全面评价，为金铝键合引线在寿命周期内可靠工作，进而保证电路和系统在寿命周期内可靠工作提供支持和保障。
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