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公开(公告)号：CN111863571A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010722711.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种基于非接触电磁驱动和绝对位移反馈的电动靶机构，采用电磁吸盘和电感式接近开关构成驱动与传感组件驱动与传感单元，利用电磁吸盘在微小气隙可产生大吸力的特性，平衡波纹管径向变形的回复力，并利用电感式接近开关的绝对位移测量特性，结合控制器、功率放大器以及电磁吸盘构成位移反馈控制回路，实现窗口靶两维微位移的精确控制。本发明具有结构简单、成本低、移动精度高的特点。
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公开(公告)号：CN110416043A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910638430.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01J37/18 , H01J37/073
Abstract: 本发明公开一种用于电子源系统的真空结构，包括电子源、屏蔽层、真空腔体外壳，通过所述屏蔽层在所述真空腔体外壳内的阻隔设置形成具有高低差真空度的高真空度腔体区域和低真空度腔体区域；所述电子源位于所述高真空度腔体区域内，所述真空结构的出气位置设置于所述低真空腔体区域上，所述屏蔽层将所述电子源和所述出气位置隔开，所述屏蔽层上设置有小孔，所述小孔连通所述高真空度腔体区域和所述低真空度腔体区域；真空泵通过抽气泵口同时与所述高真空度腔体区域和所述低真空度腔体区域连通；本发明仅依靠一个真空泵使两个腔体满足不同的真空度要求，使内外真空腔体保持真空差在一个数量级。
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公开(公告)号：CN109709353A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910031214.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G01Q70/16
Abstract: 本发明公开一种金属铱针尖的电化学制备装置及制备方法，包括刻蚀调节装置、控制电路和电化学池，电极放置在电解液内，探针夹具将待制备铱丝的端部放置在电解液内，可变压交流电压源的正负极通过控制电路分别与电极和探针夹具连接形成刻蚀电路；刻蚀调节装置调节所述待制备铱丝伸入所述电解液液面下的长度尺寸；控制电路采集刻蚀电路中有效的实时电流值并控制刻蚀电路的连通或断开；本发明通过所述控制电路控制刻蚀的终点，可以精确的控制刻蚀电压切断时间，操作方便，制备的铱针尖曲率半径小，重复性好，容易获得铱丝刻蚀的最佳条件，使制备的针尖保持较好的形貌，且具有较高的成功率和较好的重现性。
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公开(公告)号：CN109706515A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910031212.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种可控长径比的钨丝针尖的制备装置及制备方法，包括电动位移装置、电化学池、控制电路；所述电动位移装置固定待制备钨丝并可控制调节所述待制备钨丝在所述电化学池内的位置使所述待制备钨丝在所述电化学池内做提拉往复振动，所述控制电路与所述电动位移装置、所述电化学池连接形成刻蚀电路从而实现对所述电化学池内所述待制备钨丝的刻蚀；本发明利用提拉往复振动对所述待制备钨丝进行电化学刻蚀加工，通过所述提拉往复振动使电化学刻蚀产生的电化学产物加快向所述电解液中扩散，减小所述待制备钨丝端部形成区域的局部电化学产物浓度，以破坏抑制电化学反应速度的扩散层的形成，从而可提高电化学刻蚀的加工效率。
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公开(公告)号：CN111243924B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010044726.0
申请日：2020-01-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提高一种用于射线源的转动靶机构，包括射线源壳体、磁流体密封组件、环形管、靶座、驱动机构；所述射线源壳体与靶座套设装配，靶座在内，射线源壳体在外，所述驱动机构驱动靶座以靶座轴线为转轴转动；所述射线源壳体与靶座二者之间形成环形腔体；所述环形管、磁流体密封组件限位在环形腔体内，且环形管(3)环绕在磁流体密封组件的外圈，并与射线源壳体上开设的进水口和出水口形成冷却通道；所述磁流体密封组件与环形腔体的内圈壁、底壁密封配合。通过环形管的设计，可以对密封组件进行降温，可实现对电子枪工作环境的全面烘烤，达到较高程度的真空度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110416043B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910638430.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01J37/18 , H01J37/073
Abstract: 本发明公开一种用于电子源系统的真空结构，包括电子源、屏蔽层、真空腔体外壳，通过所述屏蔽层在所述真空腔体外壳内的阻隔设置形成具有高低差真空度的高真空度腔体区域和低真空度腔体区域；所述电子源位于所述高真空度腔体区域内，所述真空结构的出气位置设置于所述低真空腔体区域上，所述屏蔽层将所述电子源和所述出气位置隔开，所述屏蔽层上设置有小孔，所述小孔连通所述高真空度腔体区域和所述低真空度腔体区域；真空泵通过抽气泵口同时与所述高真空度腔体区域和所述低真空度腔体区域连通；本发明仅依靠一个真空泵使两个腔体满足不同的真空度要求，使内外真空腔体保持真空差在一个数量级。
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公开(公告)号：CN111048382A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811190769.9
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01J37/02 , H01J37/065 , H01J37/073
Abstract: 本公开提供了一种电子源制造方法，该方法包括：在至少一个针尖上形成一个或多个固定的发射点，所述发射点包括针尖表面的金属原子与气体分子形成的反应产物。
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公开(公告)号：CN107887243A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710851400.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 一种用于电子束扫描CT的X射线源的阵列靶，包括线性阵列靶位、包埋层和靶基；所述线性阵列靶位包括至少一个单独的靶位，所述单独的靶位为线条状，深入所述包埋层0.5至10μm，所述靶位的两端延伸到所述包埋层的边缘，靶位的宽度小于或等于电子束直径，最佳为电子束束流密度的半峰宽尺寸，可近似为电子束直径的1/2至2/3；靶位之间的间隙等于或大于电子束直径；所述包埋层用于配置所述靶位；所述靶基配置于所述包埋层和靶位的底部；所述靶基的厚度为20至300μm。
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公开(公告)号：CN111863571B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010722711.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种基于非接触电磁驱动和绝对位移反馈的电动靶机构，采用电磁吸盘和电感式接近开关构成驱动与传感组件驱动与传感单元，利用电磁吸盘在微小气隙可产生大吸力的特性，平衡波纹管径向变形的回复力，并利用电感式接近开关的绝对位移测量特性，结合控制器、功率放大器以及电磁吸盘构成位移反馈控制回路，实现窗口靶两维微位移的精确控制。本发明具有结构简单、成本低、移动精度高的特点。
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