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公开(公告)号：CN102760753B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210261200.3
申请日：2012-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有界面N+层的SOI LDMOS半导体器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅，介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间，有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为N型硅层、P型硅层和N+硅层三部分；本发明采用在介质埋层与有源顶层硅间设置N+硅层，使得该器件在反向阻断状态时，界面部分耗尽的高浓度电离施主增强介质埋层电场，并有效调制有源顶层硅内电场分布，从而有效提高器件纵向耐压和器件横向耐压。同时，有源顶层硅中的P型硅层可调节该器件的RESURF条件，缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN103197226A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310083765.1
申请日：2013-03-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法。该方法包括步骤：选取筛选合格的样品随机分为若干组；测试并计算一组样品内部的相对湿度及键合丝的键合强度平均值；利用恒定温度应力、温度循环和恒定湿热三组加速应力进行加速寿命试验，进行恒定湿热试验的样品应先开盖；每间隔一定时间检测样品的敏感参数；确定产品的敏感参数及其寿命分布类型，拟合得到分布参数；计算样品的平均寿命；根据不同应力条件下样品平均寿命计算加速模型的模型参数和加速因子；外推出样品实际贮存条件下的寿命。本发明方法的试验应力选择合理，监测参数全面，能准确地判别敏感参数，它主要应用于半导体模拟集成电路可靠性评估领域。
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公开(公告)号：CN102760753A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210261200.3
申请日：2012-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有界面N+层的SOILDMOS半导体器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅，介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间，有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为N型硅层、P型硅层和N+硅层三部分；本发明采用在介质埋层与有源顶层硅间设置N+硅层，使得该器件在反向阻断状态时，界面部分耗尽的高浓度电离施主增强介质埋层电场，并有效调制有源顶层硅内电场分布，从而有效提高器件纵向耐压和器件横向耐压。同时，有源顶层硅中的P型硅层可调节该器件的RESURF条件，缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN110673018A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910987205.6
申请日：2019-10-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于自动化测试技术领域，特别是一种无外引出线芯片级器件测试平台；本平台包括导轨支架、探针组件、器件固定底板以及平台底座；导轨支架包括一个载物台、两根金属杆和U型框架，载物台活动设置在金属杆上，金属杆的一端与U型框架顶部连接，另一端穿过探针组件与U型框架底部连接；探针组件包括测试探针定位板和测试探针；载物台与测试探针定位板固定连接；平台底座、器件固定底板以及导轨支架三者固定连接；本发明采用探针测试方式对芯片级器件进行测试，能够有效的接触被测器件的测试点，同时不会造成器件的短路，解决了原先对无外引出线的微小器件无法进行测试的问题。
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公开(公告)号：CN103197226B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310083765.1
申请日：2013-03-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法。该方法包括步骤：选取筛选合格的样品随机分为若干组；测试并计算一组样品内部的相对湿度及键合丝的键合强度平均值；利用恒定温度应力、温度循环和恒定湿热三组加速应力进行加速寿命试验，进行恒定湿热试验的样品应先开盖；每间隔一定时间检测样品的敏感参数；确定产品的敏感参数及其寿命分布类型，拟合得到分布参数；计算样品的平均寿命；根据不同应力条件下样品平均寿命计算加速模型的模型参数和加速因子；外推出样品实际贮存条件下的寿命。本发明方法的试验应力选择合理，监测参数全面，能准确地判别敏感参数，它主要应用于半导体模拟集成电路可靠性评估领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110497339A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910787761.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明提供一种3D集成微系统元器件的机械试验夹具及装夹方法，在该夹具中，通过子夹具的夹持孔对待试验元器件的侧面进行挤压夹持，可有效装夹上下表面不平整的3D集成微系统元器件，解决了无法对这类器件进行装夹的问题；子夹具夹持待试验元器件后配合母夹具对子夹具的锁紧固定，可将待试验元器件的所有自由度完全锁死，只需对待试验元器件装夹一次即可通用于多试验方向的高加速离心(>5000g)、振动、冲击等多种机械试验，降低了在不同机械试验中多次、反复装夹所存在的质量隐患，并提高了机械试验的效率；此外，针对不同外形尺寸的待试验元器件，设计多种具有不同形状尺寸夹持孔的子夹具便可实现该夹具对不同待试验元器件的通用，降低了试验成本。
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公开(公告)号：CN108593279A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810521867.X
申请日：2018-05-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G01M13/00
Abstract: 本发明公开了一种大双列直插器件高加速离心试验通用夹具，应用在试验设备领域，包括底板、滑块、导向条、装夹槽和磁性橡胶片。本发明夹具通过自身的滑动和伸缩，拥有两个相互垂直的自由度，可以根据不同长宽尺寸的大双列直插器件外形尺寸，在一定范围内自由调节，使其满足绝大部分大双列直插器件的装夹条件，极大的增强了夹具的通用性，保证夹具与试验器件完全匹配，避免因夹具通用性不强可能带来的诸如试验效率低下、密封失效、器件管壳脆裂、成本高昂等问题，整个设计技术思路巧妙，结构简洁、经济、高效。
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公开(公告)号：CN110497339B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910787761.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明提供一种3D集成微系统元器件的机械试验夹具及装夹方法，在该夹具中，通过子夹具的夹持孔对待试验元器件的侧面进行挤压夹持，可有效装夹上下表面不平整的3D集成微系统元器件，解决了无法对这类器件进行装夹的问题；子夹具夹持待试验元器件后配合母夹具对子夹具的锁紧固定，可将待试验元器件的所有自由度完全锁死，只需对待试验元器件装夹一次即可通用于多试验方向的高加速离心(>5000g)、振动、冲击等多种机械试验，降低了在不同机械试验中多次、反复装夹所存在的质量隐患，并提高了机械试验的效率；此外，针对不同外形尺寸的待试验元器件，设计多种具有不同形状尺寸夹持孔的子夹具便可实现该夹具对不同待试验元器件的通用，降低了试验成本。
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公开(公告)号：CN111351697A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010213589.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开一种键合金丝可靠性评价方法，4组样品，其中1组做键合强度试验，其余3组先温度循环加速寿命试验，再进行键合强度试验，得出3组器件的敏感参数，每组敏感参数均利用退化轨迹模型进行拟合，得出每组器件的退化轨迹模型，然后外推各个器件的伪寿命，各器件的伪寿命利用寿命分布图示法进行分析，从而得到加速应力试验下试验器件的寿命分布函数，利用寿命分布函数计算器件平均寿命，平均寿命代入温度循环应力加速模型得出模型参数，利用模型参数可计算出加速因子，再用寿命分布函数和加速因子，通过加速因子与加速应力条件下的平均寿命，可算出器件正常应力条件下的平均寿命，此数值可直观评价键合金丝的可靠性。
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公开(公告)号：CN108593279B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810521867.X
申请日：2018-05-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G01M13/00
Abstract: 本发明公开了一种大双列直插器件高加速离心试验通用夹具，应用在试验设备领域，包括底板、滑块、导向条、装夹槽和磁性橡胶片。本发明夹具通过自身的滑动和伸缩，拥有两个相互垂直的自由度，可以根据不同长宽尺寸的大双列直插器件外形尺寸，在一定范围内自由调节，使其满足绝大部分大双列直插器件的装夹条件，极大的增强了夹具的通用性，保证夹具与试验器件完全匹配，避免因夹具通用性不强可能带来的诸如试验效率低下、密封失效、器件管壳脆裂、成本高昂等问题，整个设计技术思路巧妙，结构简洁、经济、高效。
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