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公开(公告)号：CN117081520A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311099650.1
申请日：2023-08-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种适用于大动态范围对数放大器的限幅整流连接电路，包括基于射随器的限幅放大器和整流器；基于射随器的限幅放大器中设有连接点A、连接点B和连接点C；其中，连接点A与整流器的差模输入结构的负相输入端相连，连接点B与整流器的差模输入结构的正相输入端相连，连接点C与整流器的直流输入管的输入端相连；本发明在不影响整流器功能的情况下，减小了整流器输入管的面积，从而减小整流器的输入电容，增大电路带宽，减小芯片面积，节省成本。
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公开(公告)号：CN118763999A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410950199.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种低功耗大电流驱动A类输出电路，包括核心电路，具有接收节点和输出节点，用于通过接收节点接收前级电路提供的输入信号，通过输出节点提供输出电压VOUT；输出采样电路，用于采样核心电路的输出电流并反馈给电流镜电路；电流镜电路，用于根据采样的输出电流调整自身电路状态，进而调节开关电路的开断状态；开关电路，用于为核心电路提供驱动电流；本发明基于双极工艺，采用改进型的低功耗大电流A类输出级结构，在保持输出幅度和功耗基本不变的同时，以极低的功耗实现了灌入电流18倍左右的增加。
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公开(公告)号：CN113972906B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202111264401.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明提供了一种宽带电平位移电路及其设计方法，基于电平位移单元结合频率补偿单元的结构设计，通过频率补偿单元产生宽带电平位移电路的零点，且产生的零点与宽带电平位移电路的第一极点相互抵消，只余下宽带电平位移电路的第二极点，使得宽带电平位移电路的带宽仅受较高的第二极点的影响，从而有效扩展了宽带电平位移电路的带宽；且频率补偿单元基于一个较小的补偿电容进行结构设计，有效节约了电路和芯片的面积，有利于结构小型化设计；整体电路结构简单，可以对输入信号进行大于一个晶体管发射结导通压降的直流电平位移，小信号增益几乎无衰减，近似为1，在有效扩展带宽的同时，电路的增益、摆幅，线性度等指标几乎不受影响。
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公开(公告)号：CN111756343B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202010646391.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提出一种高速运放轨到轨输出电路，具有：正电源接入点及负电源接入点；跨导放大级，用于将所述差分电压信号经过跨导放大后转换为电流信号；互补输出级，用于将所述电流信号转换为电压信号，并经过放大后得到输出电压信号；反馈子电路，用于连接所述互补输出级的输出和所述跨导放大级的输入，进行频率补偿；本发明可在保证运放高速放大的情况下，实现轨到轨输出。
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公开(公告)号：CN111966158A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010856544.3
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域；涉及一种互补式低漂移的恒流源及其控制方法；所述恒流源包括等效电阻以及由NPN管和PNP管构成的互补电流镜；等效电阻产生相对恒定电流，并提供给互补电流镜和MOS电容；在NPN管和PNP管之间设置有MOS电容；上电瞬间，MOS电容通过交流短路拉低NPN管集电极的电位，从而PNP管的基极电位被拉低，使得上电时互补电流镜中各个PNP管快速导通；通过金属膜电阻对互补电流镜进行修调，互补电流镜通过反馈补偿的方式产生温漂较小的PTAT电流；由于互补电流镜结构的作用，电路内部自身形成了电流映射关系；可通过后期金属膜电阻激光修调来进行电流值控制，这也为实际生产提供了较好的解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116991192A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310749694.8
申请日：2023-06-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种三态使能控制电流源电路；该方法包括：使能电路和偏置电路，使能电路与偏置电路连接；使能电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、NPN管Q1、PNP管Q2、NPN管Q3、电阻R1、电阻R3和电流源I1；偏置电路包括二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、PNP管Q4、PNP管Q5、NPN管Q6、电阻R2、电阻R4和电流源I2；本发明电路结构简单，适用范围更宽，同时满足单片电路对于高集成度的要求。
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公开(公告)号：CN114400978B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210030106.0
申请日：2022-01-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种大动态范围对数放大器芯片的失调补偿结构；所述失调补偿结构包括第一级限幅放大器，多级限幅放大器，跨导检测单元以及恒流源和反馈电流源；第一级限幅放大器分别连接差分信号的输入正端和输入负端，差分信号输出正端和输出负端连接多级限幅放大器的输入正端和输入负端；恒流源连接多级限幅放大器的输入负端，反馈电流源连接多级限幅放大器的输入正端；跨导检测单元连接多级限幅放大器的输出负端和输出正端；本发明通过跨导检测单元来获取输出正端和输出负端电压的差异结果，并通过反馈电流源生成反馈电流，以恒流源电流补偿反馈电流引起的第一级限幅放大器直流工作点变化，起到稳定限幅放大器工作的作用。
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公开(公告)号：CN113972906A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111264401.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明提供了一种宽带电平位移电路及其设计方法，基于电平位移单元结合频率补偿单元的结构设计，通过频率补偿单元产生宽带电平位移电路的零点，且产生的零点与宽带电平位移电路的第一极点相互抵消，只余下宽带电平位移电路的第二极点，使得宽带电平位移电路的带宽仅受较高的第二极点的影响，从而有效扩展了宽带电平位移电路的带宽；且频率补偿单元基于一个较小的补偿电容进行结构设计，有效节约了电路和芯片的面积，有利于结构小型化设计；整体电路结构简单，可以对输入信号进行大于一个晶体管发射结导通压降的直流电平位移，小信号增益几乎无衰减，近似为1，在有效扩展带宽的同时，电路的增益、摆幅，线性度等指标几乎不受影响。
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公开(公告)号：CN113849026A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111137692.0
申请日：2021-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Inventor： 杨阳
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了一种多电平可选双向驱动稳压电路及电压源产生方法，所述电路包括：基准单元，对外输出第一电压和第二电压；运放单元，其输入端接基准单元的输出端，将第一电压和第二电压的叠加和转换为多个不同规格的基准电压并向后级负载输出，同时向后级负载输出正负双向驱动电流。本发明通过运放单元对第一电压和第二电压进行叠加转换，能得到多个不同规格的基准电压，并通过运放单元向后级负载输出，能同时提供基准电压和正负双向驱动电流，基准电压为多种电平可选，输出基准电压的范围宽，基于运放单元的驱动电流比较大且支持正负双向驱动，对后级负载的驱动能力较高，使用方便，适用范围广，整体电路结构简单，且集成度高。
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公开(公告)号：CN111966158B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010856544.3
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域；涉及一种互补式低漂移的恒流源及其控制方法；所述恒流源包括等效电阻以及由NPN管和PNP管构成的互补电流镜；等效电阻产生相对恒定电流，并提供给互补电流镜和MOS电容；在NPN管和PNP管之间设置有MOS电容；上电瞬间，MOS电容通过交流短路拉低NPN管集电极的电位，从而PNP管的基极电位被拉低，使得上电时互补电流镜中各个PNP管快速导通；通过金属膜电阻对互补电流镜进行修调，互补电流镜通过反馈补偿的方式产生温漂较小的PTAT电流；由于互补电流镜结构的作用，电路内部自身形成了电流映射关系；可通过后期金属膜电阻激光修调来进行电流值控制，这也为实际生产提供了较好的解决方案。
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