一种强力降粘附功驱油方法及系统

    公开(公告)号:CN118686595A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202411175901.4

    申请日:2024-08-26

    Abstract: 本发明涉及一种强力降粘附功驱油方法及系统,属于油气田开发技术领域,包括:(1)测定目标油藏高粘原油的粘度和密度;(2)优选降张力降粘附功驱油剂的碳链长度和注入浓度;(3)测试降张力降粘附功驱油剂的洗油能力;(4)测试降张力降粘附功驱油剂的提高采收率效果;(5)确定降粘附功驱油方法的适应性。本发明针对高粘原油与岩石间粘附功高,仅靠降低油水界面张力无法使高粘原油启动和运移的难点,由传统“聚焦油水界面”转变为“油水和固液界面并重”,提出了一种强力降粘附功驱油方法,对于高粘油藏化学驱大幅度提高采收率具有重要意义。

    抑制三电平变流器母线中点电位波动的零序分量寻优方法

    公开(公告)号:CN109039043A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810948773.0

    申请日:2018-08-20

    CPC classification number: H02M1/32

    Abstract: 本发明公开一种抑制三电平变流器母线中点电位波动的零序分量寻优方法,设定零序分量初始值,以固定步长改变零序分量,逐步寻找使中点电流最小的最优零序分量。本发明能够在任一功率因数和任一调制度下获得最优的零序分量,将获得的最优零序分量与三相给定正弦电压调制信号叠加,获得最终的三相电压调制信号,分别与正极性的高频三角载波、负极性的高频三角载波比较大小获得三电平变流器功率开关器件的驱动信号,能够将直流母线中点电位波动抑制到最小,为研究零序分量注入法抑制直流母线中点电位波动提供参考。本发明不需要额外的电压传感器检测中点电位偏移,减少了逆变器硬件成本。

    一种强力降粘附功驱油方法及系统

    公开(公告)号:CN118686595B

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411175901.4

    申请日:2024-08-26

    Abstract: 本发明涉及一种强力降粘附功驱油方法及系统,属于油气田开发技术领域,包括:(1)测定目标油藏高粘原油的粘度和密度;(2)优选降张力降粘附功驱油剂的碳链长度和注入浓度;(3)测试降张力降粘附功驱油剂的洗油能力;(4)测试降张力降粘附功驱油剂的提高采收率效果;(5)确定降粘附功驱油方法的适应性。本发明针对高粘原油与岩石间粘附功高,仅靠降低油水界面张力无法使高粘原油启动和运移的难点,由传统“聚焦油水界面”转变为“油水和固液界面并重”,提出了一种强力降粘附功驱油方法,对于高粘油藏化学驱大幅度提高采收率具有重要意义。

    一种井间剂窜及无效循环带流线控制方法

    公开(公告)号:CN118088163B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410486905.8

    申请日:2024-04-23

    Abstract: 本发明涉及一种井间剂窜及无效循环带流线控制方法,属于油气田开发技术领域。包括:将化学驱油田划分成以注入井为中心的若干个井组;计算每个井组注入井与对应生产井的化学剂窜流系数,并对窜流程度进行分级;绘制增油曲线,根据增油曲线形态识别其是否具有小层突进特征;根据剂窜井组窜流程度和增油曲线形态识别是否形成连续的无效循环带;针对剂窜严重形成的无效循环带绘制井组流线,提出流线控制面积评价指标;识别剂窜模式并采取不同措施调控;结合数值模拟软件比评价指标,评价流线控制效果。本发明能够有效监测识别化学驱井组剂窜情况,提出相应评价指标和调控方法,更加高效地实现井间剂窜及无效循环带流线控制。

    用于T型三电平MOSFET逆变器的分状态脉冲测试方法

    公开(公告)号:CN108983115B

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201810940810.3

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本发明公开一种用于T型三电平MOSFET逆变器的分状态脉冲测试方法,将T型三电平MOSFET逆变器的电压和电流状态分为四类分别进行测试,将负载电感接在逆变器输出端,在第一类和第二类状态测试中另一端连接于负直流母线,在第三类和第四类状态测试中另一端连接于正直流母线。在第一类测试中,测试逆变器第一只MOSFET的开通和关断特性;在第二类测试中,测试逆变器第二只MOSFET的开通和关断特性,测试第四只MOSFET的同步整流状态;在第三类测试中,测试逆变器第四只MOSFET的开通和关断特性;在第四类测试中,测试逆变器第三只MOSFET的开通和关断特性,测试第一只MOSFET的同步整流状态。本发明针对逆变器的不同工作状态采用不同的测试电路和脉冲,测试全面,同时能够测试同步整流状态。

    用于高开关频率碳化硅逆变器的高效率低谐波控制方法

    公开(公告)号:CN110932587A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911313158.3

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种用于高开关频率碳化硅逆变器的高效率低谐波控制方法,通过基波电流提取模块对高开关频率碳化硅逆变器的输出电流进行基波提取后,作为电流区间的判断的依据,获得精确的电流区间,消除输出电流的高频谐波对电流区间判断的影响。高效率低谐波调制模块包含电流区间判断、调制波幅值调整、零序分量计算、逻辑综合四个子模块。在不同的电流区间中,通过调制波幅值调整子模块,实现补偿高开关频率碳化硅逆变器死区效应目的;通过零序分量计算子模块,实现减小高开关频率碳化硅逆变器开关损耗目的;逻辑综合模块加入死区输出驱动信号。本发明将死区补偿和减小开关损耗两者有效结合,实现高开关频率碳化硅逆变器的高效率、低谐波运行。

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