公开(公告)号：CN1048659C

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN94117781.5

申请日：1994-11-10

Applicant: 中国矿业大学北京研究生部

Inventor： 郭梦熊 ,  徐桦 ,  安征 ,  陈材 ,  任子敏 ,  邵绪新 ,  夏云凯

IPC: B03B7/00

Abstract: 本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得高品级SiC晶须产品的分离工艺，其特征在于经粉碎的物料两次调浆后进行反浮选，其尾矿再进行旋流器分离，或者采用正浮选处理，中矿采用旋流器组或快速摇床处理，该工艺过程进行合理组合可用于易处理和难处理物料的分离，分别得到高品级SiC-w产品，其品级达97-98%，平均直径1.0，1.5和≥3.0μm，为高科技领域复合材料提供优质增强剂，该工艺分离效果好，节省药剂，设备互换性好，操作简单。

公开(公告)号：CN1116967A

公开(公告)日：1996-02-21

申请号：CN94117781.5

申请日：1994-11-10

Applicant: 中国矿业大学北京研究生部

Inventor： 郭梦熊 ,  徐桦 ,  安征 ,  陈材 ,  任子敏 ,  邵绪新 ,  夏云凯

IPC: B03B7/00

Abstract: 本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得高品级SiC晶须产品的分离工艺，其特征在于经粉碎的物料两次调浆后进行反浮选，其尾矿再进行旋流器分离，或者采用正浮选处理，中矿采用旋流器组或快速摇床处理，该工艺过程进行合理组合可用于易处理和难处理物料的分离，分别得到高品级SiC-w产品，其品级达97-98％，平均直径1.0，1.5和≥3.0μm，为高科技领域复合材料提供优质增强剂，该工艺分离效果好，节省药剂，设备互换性好，操作简单。