可证安全公钥隐写方法、系统、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117857043A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410150919.2

    申请日:2024-02-02

    Abstract: 本发明公开了一种可证安全公钥隐写方法、系统、设备及存储介质,提出了一种基于椭圆曲线的伪随机公钥加密方案,并基于此提出一种通用的端到端的公钥隐写框架,该框架通信时不需要以共享会话密钥做为前提,在ECDDH(Diffie‑Hellman)计算困难性假设下具有抵抗选择隐文攻击(CHA)的能力;同时,本发明的计算复杂度低,在同等安全性条件下的额外项小,利用椭圆曲线密钥短、运算速度快的优点,本发明相对于Hopper提出的基于RSA和Elgamal的公钥隐写方案具有性能优势;此外,提高了隐写通信时的会话安全性,并可以拓展作为身份认证和密钥交换的算法,为隐写的会话安全提供更多保证。

    空穴型半导体电控量子点器件,其制备及使用方法

    公开(公告)号:CN107170813B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201710498737.4

    申请日:2017-06-26

    Abstract: 本发明公开了空穴型半导体电控量子点器件、其制备和使用方法。其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103);欧姆接触源极(201)和漏极(204),依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102),进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm;至少两个量子点小电极(402),位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间,处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103);绝缘层(500),覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分;和栅极纳米条带(602),设置在绝缘层(500)上,并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(204)以及量子点小电极(402)均有交叠。还公开了一种量子点装置。

    半导体栅极电控量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN110137254A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910366140.3

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 一种半导体栅极电控量子点及其制备方法,结构包括:衬底(101);二氧化硅层(102),其形成在衬底(101)上,二氧化硅层(102)上形成有离子注入区域(200)和量子点大电极(400),离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300),二氧化硅层(102)上制备有量子点小电极(500),其中,量子点大电极(400)与量子点小电极(500)相连;绝缘层(600),其形成在二氧化硅层(102)上,只覆盖量子点区域,其中,量子点区域包括量子点小电极(500)、量子点大电极(400)的内部区域和离子注入区域(200)的内部区域。该半导体栅极电控量子点只保留量子点区域的氧化铝绝缘层,解决了传统硅基半导体材料空穴型量子点中出现的本底电流问题。

    一种量子芯片立体结构及其制作和封装方法

    公开(公告)号:CN111211165B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202010157600.4

    申请日:2020-03-09

    Abstract: 本申请公开了一种量子芯片立体结构及其制作和封装方法,该立体结构提供了一种新的立体制作和封装结构,解决了量子点的电极在二维平面上排布困难以及量子点的电极排布所需的平面面积过大的问题,降低了量子芯片立体结构的成本。此外,该立体结构的量子点之间的耦合均由第一通信结构和第二通信结构调控,实现了所有参数全电控和独立可调的目的,且量子芯片立体结构通过RF(Reflect‑Frequency,射频)测量电路对量子比特的状态进行读取,不再需要制作用于信号探测的量子点,节省了量子点数量,优化了量子点结构。进一步的,该立体结构使用超导谐振腔层和量子点耦合,解决了随量子点扩展时由于电极数目增多带来的排布不开的问题。

    一种基于射孔测试联作系统的地层参数反演方法

    公开(公告)号:CN113065246B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202110326130.4

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明提供了一种基于射孔测试联作系统的地层参数反演方法,包括以下步骤:(1)根据射孔测试联作技术获得的一组井筒压力p和井筒温度T数据;(2)将所述压力p和所述温度T数据转换为井筒流量q数据;(3)利用图版拟合试井解释方法,将现场压力数据与理论曲线进行拟合匹配,反演获得地层参数,所述地层参数包括渗透率、井筒存储常数和表皮因子。本发明解决了常规试井无法获得准确非等温地层参数的问题,适用于非等温油气藏实际生产过程中的地层参数反演计算,大大缩短了试油周期,降低了试油成本。

    产品消费模式的确定方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114004656A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111302914.X

    申请日:2021-11-04

    Abstract: 本公开实施例提供了一种产品消费模式的确定方法和产品消费模式的确定装置。该方法包括:响应于消费模式确定请求,获取与第一产品对应的多个消费模式中的每个消费模式的历史数据,其中,历史数据包括消费者的数量和使用量;根据与第一产品对应的多个消费模式中的每个消费模式的历史数据,建立与消费模式对应的产品效用函数;根据与消费模式对应的产品效用函数,生成与消费模式对应的第二产品的消费信息,其中,消费信息包括消费者的数量;基于第二产品的生产信息,根据与消费模式对应的第二产品的消费信息,确定与消费模式对应的利润函数;以及根据与多个消费模式中的每个消费模式对应的利润函数,从多个消费模式中确定第二产品的目标消费模式。

    半导体栅极电控量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN110137254B

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN201910366140.3

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 一种半导体栅极电控量子点及其制备方法,结构包括:衬底(101);二氧化硅层(102),其形成在衬底(101)上,二氧化硅层(102)上形成有离子注入区域(200)和量子点大电极(400),离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300),二氧化硅层(102)上制备有量子点小电极(500),其中,量子点大电极(400)与量子点小电极(500)相连;绝缘层(600),其形成在二氧化硅层(102)上,只覆盖量子点区域,其中,量子点区域包括量子点小电极(500)、量子点大电极(400)的内部区域和离子注入区域(200)的内部区域。该半导体栅极电控量子点只保留量子点区域的氧化铝绝缘层,解决了传统硅基半导体材料空穴型量子点中出现的本底电流问题。

    一种制备乙腈的方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109369451A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811195953.2

    申请日:2018-10-15

    Inventor: 张颖 袁自国 张鑫

    Abstract: 本申请公开了一种制备乙腈的方法,所述方法包括在反应器中,将废旧有机塑料在催化剂和载气存在下加热进行反应,然后经过冷却分离得到含有乙腈的液体产物,其中所述催化剂由载体和活性金属氧化物组成,所述载气由反应性含氮化合物气体和任选的惰性气体组成,并且所述反应性含氮化合物气体选自氨气、甲胺气体、二甲胺气体、铵盐热解气体、尿素热解气体或其组合。本发明的方法利用废旧有机塑料作为原料,通过简单的反应过程,不仅高选择性地制得乙腈产物,而且能够减少环境污染并实现废物利用。此外,本发明方法由原料到生产工艺全过程是一条可再生、绿色、环保线路,具有巨大的工业前景。

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