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公开(公告)号：CN119342675A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411541047.9
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国科学院上海高等研究院 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及一种冲击磁铁系统及双束团分离系统，冲击磁铁系统包括真空室和固定于所述真空室内的冲击磁铁，所述冲击磁铁包括磁芯、线圈和外框，所述磁芯固定在所述外框内，所述磁芯具有窗口，所述线圈设于所述窗口内；所述线圈的第一端上连接有第一接头，所述线圈的第二端上设有第二接头，所述第一接头和所述第二接头延伸至所述外框之外；所述真空室上设有真空穿墙件电极接口，所述第一接头和所述第二接头分别与所述真空穿墙件电极接口电连接；所述真空室上还设有束流出口和束流进口，所述束流进口、所述窗口和所述束流出口依次连通。
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公开(公告)号：CN118136303A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410545364.1
申请日：2024-05-06
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明提供一种真空内逐束团电磁移相器，其包括真空室，以及置于真空室内部的移相器电磁铁；所述移相器电磁铁采用单匝的励磁线圈，且所述移相器电磁铁通过真空穿墙件电极接口与真空室外部的励磁脉冲电源电连接。本发明的真空内逐束团电磁移相器其移相器电磁铁采用单匝的励磁线圈，以尽可能的减小移相器磁铁的电感量，其配合脉冲励磁电源，实现了励磁电流的大小的快速改变，进而快速改变磁感应强度，进而快速调节电子束的相位。
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公开(公告)号：CN110401373B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201910599708.6
申请日：2019-07-04
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H02M9/04
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公开(公告)号：CN118136303B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410545364.1
申请日：2024-05-06
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明提供一种真空内逐束团电磁移相器，其包括真空室，以及置于真空室内部的移相器电磁铁；所述移相器电磁铁采用单匝的励磁线圈，且所述移相器电磁铁通过真空穿墙件电极接口与真空室外部的励磁脉冲电源电连接。本发明的真空内逐束团电磁移相器其移相器电磁铁采用单匝的励磁线圈，以尽可能的减小移相器磁铁的电感量，其配合脉冲励磁电源，实现了励磁电流的大小的快速改变，进而快速改变磁感应强度，进而快速调节电子束的相位。
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公开(公告)号：CN118232883A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410658905.1
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Inventor： 刘永芳
Abstract: 本发明提供一种负高压脉冲电源组件，其脉冲发生电路连接负高压直流电源；驱动电路包括驱动芯片和隔离电源芯片，隔离电源芯片使得驱动芯片输出的驱动信号悬浮于负高压直流电平上，驱动信号的低电平为负高压直流电平的高压值且驱动信号的波动幅度为电压差设定值；脉冲发生电路具有高压开关，高压开关在驱动信号的驱动下在导通和关断状态之间切换，以输出输出脉冲。本发明还提供相应的细胞消融装置。本发明的负高压脉冲电源的驱动电路是悬浮于直流负高压之上，负高压脉冲电源的驱动信号的电压波动幅度较小，不受负载端高压的输出脉冲的影响，因此该负高压脉冲电源的驱动电路抗干扰能力强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111627649A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010620707.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明涉及一种高频高压变压器，包括油缸体，油缸体的内部注有绝缘油，所述油缸体的内部依次电连接有：升压组件，包括绕制在同一铁芯上的初级线包和次级线包，所述初级线包包括初级输入主线包和初级输入副线包；整流组件，与所述次级线包并联，由若干个硅堆串并联构成，以及滤波组件，与所述整流组件并联，由若干个滤波电路串联构成。本发明的高频高压变压器能够使脉冲调制器恒流充电电源的稳定度提高一个数量级。另外，本发明的高频高压变压器还设置有散热组件、温度监测模块和液位检测模块，提高了脉冲调制器恒流充电电源的可靠性。
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公开(公告)号：CN116828689A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310759528.6
申请日：2023-06-26
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本发明提供一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，包括陶瓷管，陶瓷管的垂直于其长度方向的截面为跑道型，陶瓷管的外表面上设有沿着陶瓷管的长度方向延伸的8个直线形的凹槽并在每个凹槽中预埋有预埋线圈，陶瓷管的所有内表面均镀有钛膜；陶瓷管的两端的每一端均与一个可伐封接件封接以实现真空密封，并且每个可伐封接件的远离陶瓷管的一端依次连接不锈钢真空管、波纹管和法兰盘，波纹管带有弹簧屏蔽触。本发明还提供其制作方法。本发明的陶瓷真空室能够实现电子束流注入、最大程度减少对束流品质的影响、获得高真空和机械强度、并且价格合理。
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公开(公告)号：CN110401373A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910599708.6
申请日：2019-07-04
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H02M9/04
Abstract: 本发明提供一种冲击磁铁的脉冲电源，包括与所述冲击磁铁的两端相连且依次串联的稳压电源、开关控制模块和并联波形成形模块，所述开关控制模块包括与稳压电源的一端相连的至少一个MOS开关管，并联波形成形模块包括至少一组彼此并联的主电阻与主电容。本发明的冲击磁铁的脉冲电源基于LRC二阶混联电路，避免了先充电再放电的脉冲电源工作模式，并采用MOS开关管作为电流开关，MOS开关管导通电路形成阶跃响应的同时产生脉冲电流的前沿及平顶，MOSFET开关关断形成脉冲电流后沿，使得该脉冲磁铁电源的重复频率可以达到百千赫兹甚至上兆赫兹。
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公开(公告)号：CN210167981U
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201921034980.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
IPC: H02M9/04
Abstract: 本实用新型提供一种冲击磁铁的脉冲电源，包括与所述冲击磁铁的两端相连且依次串联的稳压电源、开关控制模块和并联波形成形模块，所述开关控制模块包括与稳压电源的一端相连的至少一个MOS开关管，并联波形成形模块包括至少一组彼此并联的主电阻与主电容。本实用新型的冲击磁铁的脉冲电源基于LRC二阶混联电路，避免了先充电再放电的脉冲电源工作模式，并采用MOS开关管作为电流开关，MOS开关管导通电路形成阶跃响应的同时产生脉冲电流的前沿及平顶，MOSFET开关关断形成脉冲电流后沿，使得该脉冲磁铁电源的重复频率可以达到百千赫兹甚至上兆赫兹。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN220191101U
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202321633754.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 中国科学院上海高等研究院
Abstract: 本实用新型提供一种非线性冲击磁铁的陶瓷真空室，包括陶瓷管，陶瓷管的垂直于其长度方向的截面为跑道型，陶瓷管的外表面上设有沿着陶瓷管的长度方向延伸的8个直线形的凹槽并在每个凹槽中预埋有预埋线圈，陶瓷管的所有内表面均镀有钛膜；陶瓷管的两端的每一端均与一个可伐封接件封接以实现真空密封，并且每个可伐封接件的远离陶瓷管的一端依次连接不锈钢真空管、波纹管和法兰盘，波纹管带有弹簧屏蔽触。本实用新型的陶瓷真空室能够实现电子束流注入、最大程度减少对束流品质的影响、获得高真空和机械强度、并且价格合理。
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