公开(公告)号：CN104993047A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510106614.2

申请日：2015-03-11

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 李润伟 ,  冀正辉 ,  潘亮 ,  尚杰 ,  伊晓辉 ,  刘钢

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种柔性阻变存储器。该存储器采用柔性衬底，选用具有导电性与延展性材料作为电极，选用金属有机框架材料作为阻变介质层。利用金属有机框架材料兼具有机与无机材料的优点，该存储器不仅具有良好的柔韧性，当器件形变时不发生破坏，能够保持完整性，而且当器件发生形变时，该器件的阻变性能能够保持稳定，从而实现了阻变存储器的柔性化，大大拓展了该阻变存储器的应用领域，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN104979472B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410145604.5

申请日：2014-04-11

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 刘钢 ,  李润伟 ,  张文斌 ,  潘亮 ,  冀正辉 ,  张超超

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/05

Abstract: 本发明提供了一种有机高分子忆阻结构单元。该结构单元包括绝缘衬底、底电极层、忆阻层与顶电极层，所述的忆阻层由有机高分子电解质材料和有机高分子阻变材料组成。该有机高分子忆阻结构单元在脉冲电压激励或扫描电压激励下，当进行激励、撤去激励、再激励时，其电流‑激励次数特性曲线和电流‑时间特性曲线呈现出具有类似生物神经突触的“学习、记忆、遗忘、回忆”特征，因此可作为新型微电子仿生单元应用于计算机等技术领域，以模仿人脑神经突触处理和学习信息的工作方式，从而极大地促进计算机等的运算速度与并行处理能力。

公开(公告)号：CN104979472A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410145604.5

申请日：2014-04-11

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 刘钢 ,  李润伟 ,  张文斌 ,  潘亮 ,  冀正辉 ,  张超超

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/05

Abstract: 本发明提供了一种有机高分子忆阻结构单元。该结构单元包括绝缘衬底、底电极层、忆阻层与顶电极层，所述的忆阻层由有机高分子电解质材料和有机高分子阻变材料组成。该有机高分子忆阻结构单元在脉冲电压激励或扫描电压激励下，当进行激励、撤去激励、再激励时，其电流-激励次数特性曲线和电流-时间特性曲线呈现出具有类似生物神经突触的“学习、记忆、遗忘、回忆”特征，因此可作为新型微电子仿生单元应用于计算机等技术领域，以模仿人脑神经突触处理和学习信息的工作方式，从而极大地促进计算机等的运算速度与并行处理能力。