一种耐高温低膨胀合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN119506697A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411750948.9

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 本发明公开了一种耐高温低膨胀合金及其制备方法。所述耐高温低膨胀合金为FCC单相结构;所述耐高温低膨胀合金在20~200℃下的平均热膨胀系数在2×10‑6/℃以下。所述制备方法包括:将原料通过冷坩埚真空悬浮熔炼技术得到母合金基体,再经真空高温退火、热处理后制备得到所述耐高温低膨胀合金。本发明在熔炼阶段采用冷坩埚真空悬浮熔炼代替传统的感应熔炼,其制备方法普适性强、能够提高合金基体的纯度,优化合金的微观结构,在不改变合金成分的情况下,在高温下实现了更低的热膨胀系数,从而扩大了低膨胀合金的使用温度范围,能够更好的保证合金在高温下的稳定性。

    永磁体稳磁方法及永磁体
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115588552A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211172169.6

    申请日:2022-09-26

    Abstract: 本发明涉及一种永磁体稳磁方法及永磁体。该永磁体稳磁方法包括如下步骤:将永磁体充磁至饱和状态;对饱和状态的永磁体进行部分退磁,退磁量范围小于或等于21%,退磁后的表观磁畴尺寸为0.1μm‑1.0μm。上述永磁体稳磁方法,从稳定磁畴的角度出发,通过限定退磁量以及表观磁稠尺寸的方式进行部分退磁,以消除磁畴的不稳定状态,使其磁矩提前偏转至稳定状态,大幅减少自然磁损,提高永磁体的时间稳定性。这种部分退磁稳磁方法普适性强,简单高效,效果显著,有利于提高关键磁性器件的使用精度以及稳定性。

    一种高磁性能的钐钴磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN114446563A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111637340.1

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本发明涉及一种高磁性能的钐钴磁体及其制备方法,属于磁体技术领域。本发明公开了一种高磁性能的钐钴磁体,所述钐钴磁体由表面包覆NyHz层的Sm(1‑x)Mx(CoaFebCucZrd)e磁体粉末材料制成,其中0≤x<1,0≤a≤1,0<b<1,0<c<1,0<d<1,4.5≤e≤9。本发明还公开了一种高磁性能的钐钴磁体的制备方法,所述制备方法包括:将各原料按元素配比进行配料,采用真空感应熔炼技术进行合金熔炼,制得Sm(1‑x)Mx(CoaFebCucZrd)e铸锭;将铸锭通过粗破碎得到磁体粉末;接着在磁体粉末表面均匀包覆NyHz,然后将混合粉末进行后处理制得高磁性能的钐钴磁体。

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