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公开(公告)号：CN112186067A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910594529.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明采用掺杂的氮硅化物薄膜取代掺杂多晶硅薄膜，用于TOPCon结构，不仅可以保持TOPCon结构优异的表面钝化性能和接触性能，而且具有若干多晶硅薄膜所不具备的特殊优势。
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公开(公告)号：CN112259614A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910594527.4
申请日：2019-07-03
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层本征或掺杂的碳硅薄膜，最后在所述碳硅薄膜表面再沉积至少一层掺杂的非晶硅薄膜层，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明避免了硅薄膜破裂现象，保持了钝化性能，能够确保进行后继丝印烧结；保持了较低的方块电阻，有利于保持金属接触和载流子的横向输运，结构完全兼容现有PECVD技术，无需增加设备，可拓展性强。
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公开(公告)号：CN112259614B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201910594527.4
申请日：2019-07-03
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种叠层薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层本征或掺杂的碳硅薄膜，最后在所述碳硅薄膜表面再沉积至少一层掺杂的非晶硅薄膜层，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明避免了硅薄膜破裂现象，保持了钝化性能，能够确保进行后继丝印烧结；保持了较低的方块电阻，有利于保持金属接触和载流子的横向输运，结构完全兼容现有PECVD技术，无需增加设备，可拓展性强。
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公开(公告)号：CN112186067B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201910594529.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780‑1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构；本发明采用掺杂的氮硅化物薄膜取代掺杂多晶硅薄膜，用于TOPCon结构，不仅可以保持TOPCon结构优异的表面钝化性能和接触性能，而且具有若干多晶硅薄膜所不具备的特殊优势。
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