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公开(公告)号：CN110060713B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910351025.9
申请日：2019-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种读取时序生成装置，包括：被读取单元输出灵敏放大器和N个被读取单元单列结构，每个被读取单元单列结构具有预充电端、字线端和控制端，预充电端用于为所述被读取单元单列结构的位线充电，字线端用于选择被被读取单元，所述控制端用于控制输出所述被读取单元单列结构的位线信号；所述N个被读取单元单列结构的输出位线连接，所述被读取单元输出灵敏放大器读取所述N个被读取单元单列结构放电产生的平均电流作为读取时序。该装置通过利用N个被读取单元单列结构中的多个被读取单元产生读取时序，减小了工艺浮动对读取时序的影响，并使得读取时序逼近读取所需的时间，减少了读取时间的浪费，同时也减小了存储器的读取功耗。
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公开(公告)号：CN109584928A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811453525.5
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明技术方案公开了一种用于静态随机存储器的写辅助电路以及写辅助方法，本发明技术方案通过所述负压控制信号发生器可以在所述存储单元写过程中形成两次负压脉冲，对位线形成相对负压，辅助写操作过程中的放电过程，以提升所述存储单元写操作速度。
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公开(公告)号：CN108597555A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810359218.4
申请日：2018-04-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种内存区计算的与非运算电路、内存芯片和计算机，所述内存区计算的与非运算电路，包括：依次连接的位线预充电路、存储阵列以及反相结构，所述与非运算电路位于计算机的内存中，使内存具有与非运算功能，数据的与非运算能够在内存中完成，从而避免了需要进行与非运算的数据在内存与ALU之间的长距离传输，进而提高了需要进行与非运算的数据在CPU中的运行速率，缩短了CPU部分数据处理时间，即缩短了CPU的运行时间，同时提高了计算密度和计算带宽，并且使用单一存储器工艺即可实现。
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公开(公告)号：CN104143907B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410404393.2
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明涉及电荷泵电路领域，公开一种非连续电流控制的双环路电荷泵电路，其包括电荷泵主电路P、采样电压产生电路、电流调节电路、频率控制电路；电荷泵主电路P，通过时钟信号CLKA、CLKB信号周期性的进行电压提升或降低，产生一个高于电源电压或低于0电平的电压输出VOUT；采样电压产生电路，对电压输出VOUT的输出的高于电源电压或低于0电平进行采样得到采样电压Vs；频率控制电路，在采样电压Vs控制下，产生用于控制电流调节电路的方波信号；电流调节电路，基于控制电路产生的方波信号控制电荷泵主电路P的输出。本发明提供的非连续性电流控制的双环路电荷泵电路可以产生两个时钟信号CLK1、CLK2共同对电荷泵调节，使电荷泵的输出电压达到预定值，具有提高电荷泵输出电压稳定性，减小输出波纹的优点。
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公开(公告)号：CN103680592B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310652763.X
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C8/18
Abstract: 本发明公开了一种延时单元电路及地址信号变化检测电路，延时单元电路内的电容和锁存器之间增加电阻，使电容与电阻组成RC电路，由于RC电路中的电容充放电时间t=k*R*C，其电容的充放电时间与电源电压无关，即延时单元电路的延迟时间与电源电压无关，只是与延时单元电路中的RC电路的电阻阻值大小和电容值大小有关。因此本发明提供的延时单元电路不受电源电压的变化影响，只与电阻值和电容值有关，使得地址信号变化检测电路产生的脉冲信号稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103904885B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410165275.0
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明实施例公开了一种泵电容复用电路，应用于闪速存储器，该电路包括：第一受控开关组、第二受控开关组以及控制电路；其中，每个第一受控开关位于一个第一泵电容与敏感电压源的连接点上；每个第二受控开关位于一个第二泵电容与所述敏感电压源的连接点上；所述控制电路用于当所述闪速存储器工作于读取模式时，若第一时钟驱动电路输出低电平的时钟信号则控制所述第一受控开关组闭合，若第二时钟驱动电路输出低电平的时钟信号则控制所述第二受控开关组闭合；反之则控制所述第一受控开关组和所述第二受控开关组全部断开，以实现所述闪速存储器版图面积的设计优化。此外，本发明实施例还公开了一种泵电容复用方法、一种电荷泵以及一种闪速存储器。
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公开(公告)号：CN106328206A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510379333.4
申请日：2015-07-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明公开提供了一种非挥发性存储器的编程信号产生装置。该装置包括：锯齿波产生电路、锯齿波斜率补偿电路以及控制锯齿波产生电路和逻辑控制电路。其中，锯齿波斜率补偿电路在编程周期内按照与该编程周期对应的斜率补偿值对锯齿波产生电路输出的锯齿电压信号的斜率进行补偿。在实际编程过程中，由于所述逻辑控制电路可根据编程周期对所述斜率补偿值进行调节，其斜率补偿值随着编程周期的增加而增加，因而编程电压可更快的达到预设值，减少了编程时间。
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公开(公告)号：CN103594123B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310625597.4
申请日：2013-11-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供了一种非挥发性存储器及其校调方法，包括：配置信息存储单元、控制逻辑单元、测试模式控制模块和检测电路，在传统的非挥发性存储器的电路中加入了检测电路，当非挥发性存储器上电后，检测电路开始工作，实时检测非挥发性存储器的工作状态信息，并根据所述工作状态信息生成对应的校调信息，然后再根据所述校调信息对非挥发性存储器进行校调，由于测试电路不需要连接外部设备输入外部指令，即可实时生成校调信息，从而实现了非挥发性存储器的自动校调，大大节约了测试时间，降低了测试成本。
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公开(公告)号：CN103634001B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310628829.1
申请日：2013-11-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种压控振荡器及其输出频率控制方法，包括：状态检测电路、数字模拟转换器、振荡电路，其中：所述状态检测电路用于检测压控振荡器的工艺角以及所述压控振荡器所在环境的温度信息，并根据所述工艺角以及所述温度信息生成校调信息，将所述校调信息编译为数字校调信息；所述数字模拟转换器用于将所述数字校调信息转换为模拟电压；所述振荡电路用于将所述模拟电压作为控制电压，控制输出频率保持在额定频率范围。
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公开(公告)号：CN105577139A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410637023.3
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K3/011
Abstract: 本发明公开的RC振荡器，通过控制电路控制斜坡电压产生电路周期性的输出斜坡电压信号至比较器的正相输入端或反相输入端；控制电路还控制第一开关及第二开关的导通与关断，使得斜坡电压产生电路输出斜坡电压信号至比较器的正相输入端时，参考电压产生电路输出参考电压信号至比较器的反相输入端，斜坡电压产生电路输出斜坡电压信号至比较器的反相输入端时，参考电压产生电路输出参考电压信号至比较器的正相输入端；当比较器由于工艺偏差导致比较器差分输入端产生失配现象时，通过上述比较器输入端接收信号的周期性互换，对其输入端的输入失配电压造成的影响进行了抵消，消除了工艺偏差为所述RC振荡器带来的影响。
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