公开(公告)号：CN117794352A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311626715.3

申请日：2023-11-29

Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院

Inventor： 李文杰 ,  宋世璇 ,  杨春雷 ,  胡航炜 ,  王子龙 ,  吴莉芸 ,  罗杰 ,  余庆 ,  冯勃晗 ,  霍少伟

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本申请实施例涉及离子固体器件技术领域，特别涉及一种锂离子固体场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底以及堆叠在衬底上的栅介质层、分别位于栅介质层的两端的源极、漏极，以及位于栅介质层的上方的沟道层；沟道层的材料为锂离子薄膜固态电解质；沟道层位于源极和漏极之间，且沟道层的顶面低于源极和漏极的顶面。本申请实施例提供一种锂离子固体场效应晶体管，采用薄膜固态电解质沟道层代替传统的半导体沟道层，通过栅电极施加电压调控沟道中锂离子的迁移，改善其离子电导率，离子型晶体管具有一定的开关比特性。