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公开(公告)号:CN103318921B
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201310268149.3
申请日:2013-06-28
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01C1/26
Abstract: 本发明特别涉及一种从含低浓度氨的水溶液制备高浓度碳酸铵溶液的方法。本发明,包括以下步骤:1)调节作为原料的含氨的水溶液的pH值至11.00~13.50,从含氨的水溶液中将氨吹出得到氨气;2)用pH值为9.50~10.00的碳酸铵溶液作为吸收液,将作为原料气的CO2气和步骤1)制得的氨气交替通入吸收液中;或者,将吸收液交替送入碳化装置和氨吸收装置,同时往碳化装置内通入作为原料气的CO2气,往氨吸收装置内通入步骤1)制得的氨气;经上述步骤所得吸收液产物即为制得的碳酸铵溶液。本发明通过控制工艺条件可以提高碳酸铵生产过程中氨和CO2的吸收率,且工艺简单,投资费用低,无需经过精馏或汽提工艺,能耗较低,且对作为原料气的CO2气的CO2含量要求相对较低。
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公开(公告)号:CN103103131B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201110356566.4
申请日:2011-11-11
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及微藻培养领域,具体地,本发明涉及一种基于光密度反馈控制补加营养盐培养微藻的方法及装置。所述方法中通过公式(I)计算营养盐流加液的添加量,其中,α(g/L)为光密度OD值的增量与微藻细胞增量间的换算系数,即ΔX=αΔOD,β(mol/g)为藻细胞增量与营养盐消耗量之间的比例系数,ΔOD为培养液光密度OD值的增量,预先设定培养液的光密度OD值的增量,当培养液的光密度增量达到设定值后,采用公式(I)计算营养盐流加液的添加量,或者,设定检测光密度OD值的时间间隔,检测所述时间间隔内培养液光密度OD值的增量,根据测得的光密度OD值的增量采用公式(I)计算并添加营养盐流加液。本发明能更准确地控制营养盐的添加量。
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公开(公告)号:CN102660451B
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201210138845.8
申请日:2012-05-07
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及微藻培养领域,具体地,本发明涉及用于开放池培养微藻的水平浸没罩式补碳装置及其补碳方法。本发明的用于开放池培养微藻的水平浸没罩式补碳装置,包括一个或两个以上罩子(1)和气体分布器(2),所述气体分布器(2)设置于开放池底部,所述罩子(1)罩于气体分布器(2)上方,该罩子(1)呈两端开口的筒体,沿培养液流动方向布置,罩子(1)的两端口分别为培养液进口(3)和培养液出口(4);其中,所述气体分布器(2)与罩子(1)的培养液出口(4)距离40厘米以上。本发明,在开放池内培养微藻细胞时,能够有效利用二氧化碳进行补碳,大大降低了生产成本。
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公开(公告)号:CN103103131A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201110356566.4
申请日:2011-11-11
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及微藻培养领域,具体地,本发明涉及一种基于光密度反馈控制补加营养盐培养微藻的方法及装置。所述方法中通过公式(I)计算营养盐流加液的添加量,其中,α(g/L)为光密度OD值的增量与微藻细胞增量间的换算系数,即ΔX=αΔOD,β(mol/g)为藻细胞增量与营养盐消耗量之间的比例系数,ΔOD为培养液光密度OD值的增量,预先设定培养液的光密度OD值的增量,当培养液的光密度增量达到设定值后,采用公式(I)计算营养盐流加液的添加量,或者,设定检测光密度OD值的时间间隔,检测所述时间间隔内培养液光密度OD值的增量,根据测得的光密度OD值的增量采用公式(I)计算并添加营养盐流加液。本发明能更准确地控制营养盐的添加量。
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公开(公告)号:CN102643741A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210138598.1
申请日:2012-05-07
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及微藻培养领域,具体地,本发明涉及用于开放池培养微藻的阱式补碳装置及其补碳方法。本发明的用于开放池培养微藻的阱式补碳装置,包括阱式容器(1)、隔板(2)和气体分布器(3),所述气体分布器(3)设置于阱式补碳装置(6)的培养液进口处;所述阱式补碳装置(6)的培养液进口侧的厚度为开放池培养液层深度的0.5~2倍;所述隔板(2)下端与阱式容器(1)底部间隙是阱式补碳装置(6)的培养液进口侧厚度的0.5~2倍;所述隔板(2)上端高出阱式容器壁,宽度与阱式容器(1)配合。本发明的补碳装置延长了气液接触时间,减小了阱式容器深度,从而降低了补碳装置的流体流动阻力、节省能耗。
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公开(公告)号:CN103421677B
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201310298122.9
申请日:2013-07-16
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C12M1/06
Abstract: 本发明公开了种用于微藻大规模培养的挡板开放池,该开放池的流道中设置有若干挡板于池底上,且挡板与培养液流动方向的夹角为20~70度,挡板至少有端与该流道的开放池壁之间留有泄口,挡板的高度低于培养液的深度。当培养液以定的流速在本发明的开放池内流动时,培养液在挡板的作用下会形成漩涡,从而在主体向前流动的基础上产生上下方向的运动(速度分量),推动藻细胞在光径方向上形成定的往复运动,从而实现藻细胞在开放池内的光区(表层)和暗区(下层)的来回穿梭。本发明能够充分发挥藻细胞的“闪光效应”,提高微藻大规模培养时的光能利用率,提高单位照光面积的产量。
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公开(公告)号:CN103664569A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201210359378.1
申请日:2012-09-24
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C07C51/02 , C07C59/265
CPC classification number: C07C51/02 , C07C51/412 , C07C59/265
Abstract: 本发明涉及一种钙盐法与沉淀置换耦合清洁生产柠檬酸的方法,该方法在常规钙盐法的柠檬酸中和步骤使用碳酸钙、碳酸镁或者碳酸锌作为中和剂,中和反应后得到柠檬酸钙和/或柠檬酸一氢钙、柠檬酸镁或者柠檬酸锌固体,同时得CO2;然后,利用沉淀置换反应,将柠檬酸钙和/或柠檬酸一氢钙、柠檬酸镁或者柠檬酸锌与碳酸铵、碳酸钠或者碳酸钾反应,得到含柠檬酸铵、柠檬酸钠或柠檬酸钾的溶液,以及碳酸钙、碳酸镁或碳酸锌沉淀;最后,利用双极膜电渗析技术处理,将含柠檬酸铵、柠檬酸钠或柠檬酸钾的溶液处理得到含柠檬酸的溶液,以及再生的NH3、NaOH溶液或KOH溶液。该方法不产生硫酸钙废渣,能与中和步骤直接衔接,实现物料闭路循环使用。
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公开(公告)号:CN101948740B
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201010279100.4
申请日:2010-09-10
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明属于微藻的大规模培养领域,特别涉及用于大规模培养微藻的低落差开放池及其使用方法和用途。根据本发明的开放池,所述开放池包括搅拌器,其中,转动搅拌器,在搅拌器的藻液出口处的池底的高度最高,与藻液入口处的池底,高度差小于5cm,因此,其余的流道都为下坡段,逆液流方向,从搅拌器的出口处到搅拌器的入口处的池底以斜面或弧面连接,从搅拌器的藻液出口处,池底流道沿液流方向至搅拌器的藻液入口逐渐降低。本发明提供了实现微藻浅层均匀培养的低落差开放池,可以大幅度提高藻细胞密度、降低水体驱动能耗;藻细胞密度的提高可以大幅度降低水体量,从而大幅度降低藻细胞的采收成本。
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公开(公告)号:CN102660451A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201210138845.8
申请日:2012-05-07
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及微藻培养领域,具体地,本发明涉及用于开放池培养微藻的水平浸没罩式补碳装置及其补碳方法。本发明的用于开放池培养微藻的水平浸没罩式补碳装置,包括一个或两个以上罩子(1)和气体分布器(2),所述气体分布器(2)设置于开放池底部,所述罩子(1)罩于气体分布器(2)上方,该罩子(1)呈两端开口的筒体,沿培养液流动方向布置,罩子(1)的两端口分别为培养液进口(3)和培养液出口(4);其中,所述气体分布器(2)与罩子(1)的培养液出口(4)距离40厘米以上。本发明,在开放池内培养微藻细胞时,能够有效利用二氧化碳进行补碳,大大降低了生产成本。
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公开(公告)号:CN102643741B
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201210138598.1
申请日:2012-05-07
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及微藻培养领域,具体地,本发明涉及用于开放池培养微藻的阱式补碳装置及其补碳方法。本发明的用于开放池培养微藻的阱式补碳装置,包括阱式容器(1)、隔板(2)和气体分布器(3),所述气体分布器(3)设置于阱式补碳装置(6)的培养液进口处;所述阱式补碳装置(6)的培养液进口侧的厚度为开放池培养液层深度的0.5~2倍;所述隔板(2)下端与阱式容器(1)底部间隙是阱式补碳装置(6)的培养液进口侧厚度的0.5~2倍;所述隔板(2)上端高出阱式容器壁,宽度与阱式容器(1)配合。本发明的补碳装置延长了气液接触时间,减小了阱式容器深度,从而降低了补碳装置的流体流动阻力、节省能耗。
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