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公开(公告)号：CN116426276B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310411858.6
申请日：2023-04-18
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种无需气体保护的AIS‑ZnS量子点的制备方法，涉及Ag‑In‑S量子点领域。该方法包括：S1：用S粉制备S源溶液；S2：用乙酸锌和S粉制备ZnS源溶液；S3：将乙酸铟、乙酸银、1‑十八烯、三正辛基膦原材料放于三颈瓶中；S4：将正十二硫醇试剂、S源溶液与ZnS源溶液分别注入到三颈瓶中；S5：将三颈瓶用冰水冷却，随后离心。利用上述方法合成的AIS‑ZnS量子点，具有不含有毒元素、不需要惰性气体保护、可以直接在较低的反应温度下和普通大气环境中合成、反应时间短、工艺过程因大幅度简化而成本低、合成条件容易控制、荧光量子效率高以及稳定性好等优点，有利于AIS‑ZnS量子点的批量制备与应用。
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公开(公告)号：CN113394360A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110656819.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供一种蓝光薄膜及其制备方法、蓝光器件及其制备方法，薄膜制备包括如下步骤：S1：制备全无机钙钛矿前驱体溶液；S2：基于所述全无机钙钛矿前驱体溶液利用配体辅助再沉淀法制备全无机蓝光钙钛矿薄膜。对比传统的有机和有机‑无机掺杂的钙钛矿薄膜，全无机金属卤化物具有色纯度高、带隙易调、窄带发射以及荧光量子效率高的优点。使用全无机原料配置钙钛矿前驱体溶液，并且利用配体辅助再沉淀法制备出的薄膜成膜性更好、更致密、荧光量子效率高；并且随着有机大分子配体含量的增加会发生较大程度的蓝移，有利于制备出更高效、稳定的纯蓝光准二维蓝光钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN116426276A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310411858.6
申请日：2023-04-18
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种无需气体保护的AIS‑ZnS量子点的制备方法，涉及Ag‑In‑S量子点领域。该方法包括：S1：用S粉制备S源溶液；S2：用乙酸锌和S粉制备ZnS源溶液；S3：将乙酸铟、乙酸银、1‑十八烯、三正辛基膦原材料放于三颈瓶中；S4：将正十二硫醇试剂、S源溶液与ZnS源溶液分别注入到三颈瓶中；S5：将三颈瓶用冰水冷却，随后离心。利用上述方法合成的AIS‑ZnS量子点，具有不含有毒元素、不需要惰性气体保护、可以直接在较低的反应温度下和普通大气环境中合成、反应时间短、工艺过程因大幅度简化而成本低、合成条件容易控制、荧光量子效率高以及稳定性好等优点，有利于AIS‑ZnS量子点的批量制备与应用。
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公开(公告)号：CN113394360B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110656819.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供一种蓝光薄膜及其制备方法、蓝光器件及其制备方法，薄膜制备包括如下步骤：S1：制备全无机钙钛矿前驱体溶液；S2：基于所述全无机钙钛矿前驱体溶液利用配体辅助再沉淀法制备全无机蓝光钙钛矿薄膜。对比传统的有机和有机‑无机掺杂的钙钛矿薄膜，全无机金属卤化物具有色纯度高、带隙易调、窄带发射以及荧光量子效率高的优点。使用全无机原料配置钙钛矿前驱体溶液，并且利用配体辅助再沉淀法制备出的薄膜成膜性更好、更致密、荧光量子效率高；并且随着有机大分子配体含量的增加会发生较大程度的蓝移，有利于制备出更高效、稳定的纯蓝光准二维蓝光钙钛矿发光二极管。
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