公开(公告)号：CN104213122A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410233504.8

申请日：2014-05-29

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪応 ,  武田雄太

IPC: C23F1/12

CPC classification number: H01L21/32135 ,  C23F1/12 ,  C23F4/02 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供干法刻蚀方法、干法刻蚀装置、金属膜及具有该金属膜的设备，用于使形成与β-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属膜的蚀刻速度提高。该干法刻蚀方法使用含有β-二酮在内的蚀刻气体对基板上形成的金属膜进行蚀刻，所述金属膜至少含有一种形成与所述β-二酮进行5或6配位的络合物构造的金属，所述含有β-二酮的蚀刻气体含有H2O及H2O2的任意一种以上的添加剂，该添加剂的体积浓度为1%以上而20%以下。

公开(公告)号：CN104340960A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375846.3

申请日：2014-08-01

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪応 ,  涉仁纪

IPC: C01B7/24

CPC classification number: C01B7/24 ,  B01J19/2415 ,  B01J2219/24

Abstract: 本发明提供一种由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其使含有IF7的气体与待氟化物质接触，将IF7变换为IF5，将包含所述IF5的气体冷却，从而作为由IF7生成的氟化碘化合物而捕集所述IF5。另外，也可以使被回收的所述IF5与氟反应而生成IF7，将生成的所述IF7再次用于半导体制造工序。

公开(公告)号：CN104340960B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410375846.3

申请日：2014-08-01

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪応 ,  涉仁纪

IPC: C01B7/24

CPC classification number: C01B7/24 ,  B01J19/2415 ,  B01J2219/24

Abstract: 本发明提供一种由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其使含有IF7的气体与待氟化物质接触，将IF7变换为IF5，将包含所述IF5的气体冷却，从而作为由IF7生成的氟化碘化合物而捕集所述IF5。另外，也可以使被回收的所述IF5与氟反应而生成IF7，将生成的所述IF7再次用于半导体制造工序。