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公开(公告)号：CN109545966A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811347483.7
申请日：2018-11-13
Applicant: 中通服咨询设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器，它自下而上依次包括衬底、形成于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、量子点薄膜层、有机半导体层和在有机半导体层上形成的源漏电极；所述量子点薄膜层与栅绝缘层之间设有聚合物修饰层，所述量子点薄膜层与有机半导体层之间设有浮栅层。本发明基于量子点的有机场效应晶体管浮栅型存储器从材料和器件结构入手，在此基础上对薄膜形貌进行调控，提升器件的存储性能，所制备的浮栅层和钙钛矿量子点层能够降低器件的操作电压，改善器件的存储性能，并具有低操作电压、高响应速度、高存储密度和高数据稳定性等特点。
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公开(公告)号：CN109326713A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810955297.5
申请日：2018-08-21
Applicant: 中通服咨询设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于光调控的有机场效应多阶晶体管存储器，它从下往上依次包括衬底、栅绝缘层、量子点掺杂薄膜层、光敏半导体层以及在光敏半导体层上形成的源漏电极；所述量子点掺杂薄膜层为掺杂有半导体纳米晶的聚合物薄膜。本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能及光敏性能，使其存储容量、开关速度和光响应能力得到很大提升，实现多阶存储；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN115360298A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211054393.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 中通服咨询设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，包括自下而上依次布置的衬底、栅电极、栅绝缘层、聚合物修饰层、有机微纳晶体薄膜层、有机半导体层和源漏电极；所述的有机微纳晶体薄膜层中的有机微纳晶体是基于有机芴基小分子的形貌、尺寸均一且具有薄膜兼容性的二维微纳晶体；所述的有机芴基小分子的分子构型为在芴基结构上修饰两个二甲基。本发明基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器从材料入手，在此基础上对薄膜形貌进行调控，实现简易制备和环境友好的绿色溶液加工，提升器件的存储性能，所制备的有机小分子微纳晶体层能够改善器件的存储性能，并具有高存储密度和高数据稳定性等特点。
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