公开(公告)号：CN107452588A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710271263.X

申请日：2017-04-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 吉村拓也 ,  小泉雅史 ,  井出光太郎 ,  芦高优

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32366 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32798

Abstract: 本发明涉及等离子体装置。通过等离子体CVD法对工件的一部分进行成膜或蚀刻的等离子体装置具备：真空容器，具备第一模和第二模，所述第一模具备第一凹陷部和配置于第一凹陷部的周围的第一平面部，所述第二模与第一模对向地配置；绝缘部件，配置于第一平面部与第二模之间，在使工件的被处理对象部分朝向第一凹陷部内的空间并且使工件从第一平面部离开的状态下与工件接触；以及电力施加部，向工件施加电力。工件与绝缘部件间的接触点和第一平面部之间的距离小于工件和第一凹陷部的底部之间的距离。

公开(公告)号：CN107452588B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201710271263.X

申请日：2017-04-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 吉村拓也 ,  小泉雅史 ,  井出光太郎 ,  芦高优

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体装置。利用等离子体对工件的一部分进行成膜或蚀刻的等离子体装置具备：真空容器，具备第一模和第二模，所述第一模具备第一凹陷部和配置于第一凹陷部的周围的第一平面部，所述第二模与第一模对向地配置；绝缘部件，配置于第一平面部与第二模之间，在使工件的被处理对象部分朝向第一凹陷部内的空间并且使工件从第一平面部离开的状态下与工件接触；以及电力施加部，向工件施加电力。工件与绝缘部件间的接触点中的最靠近所述第一平面部的接触点和第一平面部之间的距离小于工件和第一凹陷部的底部之间的距离。