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公开(公告)号：CN106952811A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611122368.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括半导体区域形成工序、清洗工序、表面粗糙度均匀化工序和电极形成工序。作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得具有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上。作为清洗工序，在半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在半导体基板的所述一个主表面上进行清洗。作为表面粗糙度均匀化工序，在清洗工序之后，使半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化。作为电极形成工序，在表面粗糙度均匀化工序之后，在半导体基板的所述一个主表面上形成电极。
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