公开(公告)号：CN105463571A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510615809.X

申请日：2015-09-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  大黑宽典 ,  土井雅善 ,  楠一彦

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08

Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供了与以往相比可抑制夹杂物的产生以生长更均匀的晶体的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴12的晶种基板14与容纳于坩埚内的具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液24接触以使SiC单晶晶体生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，在坩埚的侧面部的周围配置有高频线圈22，坩埚具有包括中坩埚101和以包围中坩埚101的方式配置的一个以上的外坩埚102的多层结构，该制造方法包括如下工序：在使SiC单晶生长时，以对Si-C溶液24的液面与高频线圈22的中心部的垂直方向的相对位置变化进行控制的方式，仅使中坩埚101沿垂直方向向上移动。