公开(公告)号：CN107758610A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710960835.5

申请日：2017-10-17

Applicant: 云南大学

Inventor： 杨杰 ,  杨宇 ,  王荣飞 ,  张明灵 ,  兰栩 ,  翁小康 ,  王茺 ,  邱锋

IPC: B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0014 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明是有序硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米结构制备技术领域。首先在Si基片表面密排得到单层聚苯乙烯纳米球阵列，然后利用离子束刻蚀技术，以氩气为工作气体，氩离子束垂直刻蚀聚苯乙烯纳米球，束流为3~10 mA，束流电压为0.5~1.1 KV，刻蚀时间为60~550 s的条件下刻蚀直径100 nm聚苯乙烯纳米球，得到周期间隔的聚苯乙烯纳米球阵列模板。通过调节束流、束压和刻蚀时间实现对聚苯乙烯纳米球尺寸的调控。随后蒸镀金膜并超声去除聚苯乙烯纳米球，采用金属辅助化学刻蚀方法制备出平均直径范围为50~81 nm的有序硅纳米线阵列，纳米线的高度由刻蚀时间控制。本发明是一种低成本、工艺简单、高效的有序小尺寸Si纳米线阵列的制备方法。

公开(公告)号：CN108373136A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810207326.X

申请日：2018-03-14

Applicant: 云南大学

Inventor： 杨杰 ,  杨宇 ,  王茺 ,  张明灵 ,  翁小康 ,  王荣飞 ,  邱峰

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法，属于纳米结构制备技术领域。具体包括：将硅片清洗后，使硅片表面氢钝化；在硅片上自组装单层密排聚苯乙烯纳米球薄膜，然后利用正入射的Ar+离子束轰击不同直径的纳米球薄膜，束流密度为0.85 mA/cm2~3.0 mA/cm2，Ar+能量为0.5 keV~1.0 keV，轰击时间为5 min~28 min；离子束轰击后，纳米球的直径减小，而其位置不改变，可获得非密排有序聚苯乙烯纳米球模板。模板中纳米球的尺寸和周期由聚苯乙烯纳米球的初始直径和轰击条件调节。纳米球的刻蚀速率可调控为6.19 nm/min~17.32 nm/min，对比发现离子束刻蚀技术具有低刻蚀速率的优点，有利于控制小尺寸聚苯乙烯纳米球模板的质量。本发明是一种低成本、工艺简单、高稳定性的非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法，该模板可以应用到有序纳米线、纳米柱、纳米孔和纳米网格阵列的研发领域。