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公开(公告)号:CN119631011A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202380009662.2
申请日:2023-07-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/13 , G02F1/133 , G02F1/1343 , H01Q21/00
Abstract: 提供一种显示面板。显示面板包括多个子像素、多个天线单元、彩膜和黑矩阵。彩膜包括多个彩膜块。所述多个彩膜块中的各个彩膜块在所述第一衬底基板上的正投影与所述第三电极在所述第一衬底基板上的正投影至少部分地重叠,并且与所述第四电极在所述第一衬底基板上的正投影至少部分地重叠。所述黑矩阵在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述第一衬底基板上的正投影至少部分重叠,且与所述第二电极在所述第一衬底基板上的正投影至少部分重叠。
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公开(公告)号:CN118857353A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410868661.X
申请日:2024-06-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: G01D5/48
Abstract: 本申请提供了一种超声波传感器及其制备方法、超声波成像器,涉及传感器技术领域,旨在提高超声波传感器的性能。该超声波传感器包括衬底及设置于衬底上的多个超声波传感单元,每个超声波传感单元包括层叠的第一堆叠结构、第二堆叠结构和超声波换能器,第二堆叠结构和超声波换能器设置于第一堆叠结构的远离衬底的一侧。第一堆叠结构包括第一晶体管,第二堆叠结构包括第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管与超声波换能器电连接。上述超声波传感器可应用于超声波成像器中,以实现图像的采集和生成。
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公开(公告)号:CN119072221A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202310626871.3
申请日:2023-05-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了忆阻器及其制作方法。该忆阻器包括:图案化层设置在衬底的一侧,具有至少一个沿第一方向延伸的凹槽;至少一个第一栅极设置在凹槽中;第一介质层覆盖第一栅极,第一介质层内部具有沿第一方向延伸的第一通道,第一通道的中间有效区的正投影位于第一栅极的正投影内,与第一栅极间隔设置;至少一个第二栅极设置在第一介质层远离衬底的一侧,第二栅极的正投影覆盖中间有效区的正投影;第二介质层覆盖第二栅极,具有分别位于第一通道在第一方向上两侧的第二通道和第三通道;源极和漏极设置在第一通道在第一方向上的两侧,且与第一通道间隔设置;盖板覆盖第二介质层。上述忆阻器中可更精准的对生物神经信号进行模拟。
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公开(公告)号:CN118248743A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410324491.9
申请日:2024-03-20
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置,该薄膜晶体管通过将有源层设置在源极和漏极上方,即本发明在制作薄膜晶体管时,先制作源极和漏极,再制作有源层,这样图形化源极和漏极的过程中刻蚀液不会损伤有源层,并且栅极有栅绝缘层的保护,也不会受源极和漏极刻蚀液的影响,因此本发明实施例提供的薄膜晶体管不会产生源极和漏极刻蚀液损伤其它膜层的问题。因此,相较于背沟道刻蚀型薄膜晶体管,本发明提供的薄膜晶体管的结构比较稳定,薄膜晶体管的性能大大提升。
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