公开(公告)号：CN119421491A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202310755707.2

申请日：2023-06-25

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  武汉京东方光电科技有限公司

Inventor： 孔曾杰 ,  高玉杰 ,  江鹏 ,  刘信 ,  郭晨光 ,  黄珺凌 ,  王明 ,  乔亚峥 ,  沈鹭 ,  刘赫 ,  丁俊 ,  李宝曼 ,  戴伟

IPC: H10D86/00 ,  H01L21/77 ,  H10K59/131 ,  H10K59/12

Abstract: 提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。显示基板包括：衬底基板；第一导电层，设置在衬底基板的一侧，第一导电层包括第一电极；第二导电层，设置在第一导电层远离衬底基板的一侧，第二导电层包括栅电极；半导体层，设置在第二导电层远离衬底基板的一侧，半导体层在衬底基板上的正投影位于第二导电层在衬底基板上的正投影内；第三导电层，设置在半导体层远离衬底基板的一侧，第三导电层包括在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内的转接部；钝化层；第一电极过孔，贯穿钝化层，第一电极过孔的开口面积从远离衬底基板的方向朝向靠近衬底基板的方向逐渐减小，暴露的转接部构成第一电极过孔的过孔侧壁的一部分。

公开(公告)号：CN118266087A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202280003866.0

申请日：2022-10-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  武汉京东方光电科技有限公司

Inventor： 武兆建 ,  张福刚 ,  许亚东 ,  郑晓绮 ,  夏莹莹 ,  张锐 ,  易定力 ,  张瑞昊 ,  杨圣标 ,  张越 ,  孙梦翔 ,  彭刚 ,  乔名笛 ,  杨子衡 ,  卢高 ,  戴伟 ,  王震宇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开实施例提供一种薄膜晶体管装置及其制造方法、复合型刻蚀液及阵列基板，该方法包括：在衬底基板上形成包括有源材料层和欧姆接触材料层的有源结构材料层及源漏材料层；使用复合型刻蚀液对源漏材料层和有源结构材料层进行湿法刻蚀工艺，以形成源漏极层及包括欧姆接触层和有源层的有源结构，湿法刻蚀工艺包括使用复合型刻蚀液的第一刻蚀液刻蚀源漏材料层和氧化有源结构材料层的部分以及使用复合型刻蚀液的第二刻蚀液刻蚀有源结构材料层的被氧化部分，欧姆接触层位于与源漏极层在垂直于衬底基板的主表面的方向上交叠的区域内，且在垂直于衬底基板的主表面的方向上，欧姆接触层在衬底基板上的正投影位于源漏极层在衬底基板上的正投影范围内。

公开(公告)号：CN117438447A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210816056.9

申请日：2022-07-12

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  武汉京东方光电科技有限公司

Inventor： 孔曾杰 ,  高玉杰 ,  郭会斌 ,  刘信 ,  沈鹭 ,  张林修 ,  黄珺凌 ,  戴伟 ,  武兆建

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置，阵列基板的薄膜晶体管包括依次层叠设置在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、第一源漏极金属层和第二源漏极金属层；其中，有源层包括源漏电极区、沟道区和拖尾区，第一源漏极金属层设置在源漏电极区，第二源漏极金属层在衬底基板上的正投影与拖尾区在衬底基板上的正投影至少部分重叠。第二源漏极金属层可以起到遮挡作用，对拖尾区至少部分进行遮挡，从而可以减少拖尾区受到的光照，降低TFT的漏电流，改善产品产生的水波纹、串扰等信赖性不良现象，保证TFT的光学稳定性和电学性能，提升产品的显示品质。

公开(公告)号：CN115657383A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211327572.1

申请日：2022-10-27

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  武汉京东方光电科技有限公司

Inventor： 孔曾杰 ,  高玉杰 ,  刘信 ,  乔亚峥 ,  刘赫 ,  黄珺凌 ,  刘子正 ,  戴伟 ,  孙梦翔 ,  武兆建 ,  王谦

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

Abstract: 本申请提供了一种显示面板与显示装置，显示面板包括衬底、遮光层、多个晶体管、彩膜基板和背光源，遮光层位于所述衬底的一侧，且所述遮光层上形成有多个通孔；多个晶体管分别包括有源层，各所述晶体管的有源层位于所述遮光层背离所述衬底的一侧，且在所述衬底上的正投影位于所述遮光层在所述衬底的正投影内；彩膜基板所述遮光层与所述多个晶体管位于所述彩膜基板与所述衬底之间；所述彩膜基板包括多个像素区，所述多个像素区与所述多个通孔一一对应设置；背光源位于所述衬底背离所述遮光层的一侧。本申请提供的显示面板，克服了背光对有源层的光致衰退效应，降低了显示面板光照漏电流。

公开(公告)号：CN113178493A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110448608.0

申请日：2021-04-25

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  武汉京东方光电科技有限公司

Inventor： 孙梦翔 ,  戴伟 ,  李月婷 ,  刘建辉 ,  孔令辰 ,  王笙灏 ,  徐金华 ,  冯辉 ,  张昊 ,  王震宇 ,  张福刚 ,  文鑫

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提出了薄膜晶体管、制备方法以及显示面板，制备薄膜晶体管的方法，包括：提供基板，在基板的一侧形成有源层材料，有源层材料覆盖像素区和控制区，在有源层材料远离基板的一侧形成第一金属层，在第一金属层远离有源层材料的一侧形成第一光刻胶层，对在基板上的正投影位于像素区内的第一金属层进行刻蚀以在控制区内形成源漏极层，对第一光刻胶层进行预灰化以形成第二光刻胶层，对在基板上的正投影位于像素区内的有源层材料进行刻蚀以去除像素区内的有源层材料。由此，可通过上述方法较为简易的方法的制备显示效果良好，制造成本较低，器件寿命较长的薄膜晶体管。