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发明公开
具有第一和第二基底的微等离子体装置无效

公开(公告)号：CN101180702A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200580040899.9

申请日：2005-10-28

Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会

Inventor： 加里·J·伊登 , 金星吾

IPC: H01J17/49 , H01J1/62

CPC classification number: H01J11/10 , H01J9/241 , H01J11/00

Abstract: 一种微等离子体放电装置(90)和阵列的制造方法。所述方法应用了从半导体装置的制造中汲取的技术，例如化学处理和光刻，从而生产出廉价的装置的阵列。在第一基底(14)上沉积交叉电极(16，18)。通过激光微机加工、蚀刻、或通过化学(湿法或干法)蚀刻在第二基底(34)内形成空腔并且所述第二基底(34)覆盖于所述电极阵列上。设置内部电极间距和电极宽度，使得在各空腔在下面具有至少一对电极从而激励在所述空腔内的等离子放电。因而避免了精确对准两个基底的要求。

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