公开(公告)号：CN1407592A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02142977.4

申请日：2002-09-13

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 神崎义隆 ,  熊田丰彦 ,  小宫正伸 ,  宫宇地浩二

IPC: H01J61/00 ,  H01J61/073 ,  H01J61/36

CPC classification number: H01J61/86 ,  H01J61/0732

Abstract: 本发明涉及一种短弧型超高压放电灯，所述放电灯能提供很高的耐压性，其包括在内部对向地配置一对以钨为主要成分的电极、且封入0.15mg/mm3以上的水银的发光管部以及向其两侧延伸、内部具有金属箔的侧管部，其特征为，在所述电极与所述金属箔之间，具有截面面积比所述电极的截面面积小的其它的金属构件，将所述电极与所述金属箔进行电连接。所述电极配置成在与所述侧管部对向的部分与构成该侧管部的材料形成微小的空间，且由与构成该侧管部的材料对向部分的大直径部及所述金属箔接合部分的小直径部构成。

公开(公告)号：CN1610081A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410087036.4

申请日：2004-10-22

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 水川洋一 ,  宫宇地浩二

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26 ,  H01L21/00 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/0047

Abstract: 提供具有代替现有的均热板而不变形、可迅速做温度改变的传热板的加热单元。该加热单元中，通过光源(1)照射传热板(4)，利用由所述被照射的传热板(4)的传热来加热被加热物(6)，其特征在于，所述传热板(4)由具有透光性的保持体(2)，和设置在该保持体(2)的表面、吸收由所述光源(1)透过所述保持体(2)的光而发热的传热层(3)构成。

公开(公告)号：CN1294632C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN02156174.5

申请日：2002-12-13

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 宫宇地浩二 ,  大和田树志

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67115

Abstract: 提供了一种半导体晶片热处理方法，采用该方法可以使被处理物即半导体晶片不破损地进行热处理。该方法在通过预热装置对半导体晶片进行达到预定温度的预热之后，再用由闪光放电灯构成的闪光辐射装置进行加热处理，其特征在于：采用预热装置进行加热，预热温度被加以控制，以使用闪光辐射装置加热时的半导体晶片的最大拉伸应力低于半导体晶片自身的拉伸极限强度。

公开(公告)号：CN1424750A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN02156174.5

申请日：2002-12-13

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 宫宇地浩二 ,  大和田树志

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67115

Abstract: 提供了一种半导体晶片热处理方法，采用该方法可以使被处理物即半导体晶片不破损地进行热处理。该方法在通过预热装置对半导体晶片进行达到预定温度的预热之后，再用由闪光放电灯构成的闪光辐射装置进行加热处理，其特征在于：采用预热装置进行加热，预热温度被加以控制，以使用闪光辐射装置加热时的半导体晶片的最大拉伸应力低于半导体晶片自身的拉伸极限强度。