用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料

    公开(公告)号:CN100338170C

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN01137167.6

    申请日:2001-09-27

    CPC classification number: C09K11/7735 C09K11/661 C09K11/662 C09K11/7734

    Abstract: 用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料,其发出高亮度光并只有少量的因暴露于等离子体等引起的亮度降低,和通过用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料提供了包括该荧光材料的真空紫外线辐射激发发光装置,其包括由通式:mM1O·nM2O·2M3O2表示的化合物,其中M1是选自Ca、Sr和Ba的至少一种金属,M2是选自Mg和Zn的至少一种金属,M3是选自Si和Ge的至少一种金属,和m和n分别满足0.5≤m≤3.5和0.5≤n≤2.5,条件是当m=n=1时,M1是选自Ca、Sr和Ba的至少两种金属,或选自Sr和Ba的一种金属;和选自Eu和Mn的至少一种金属作为活化剂,和包括该荧光材料的真空紫外线辐射激发发光装置。

    用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料

    公开(公告)号:CN1345908A

    公开(公告)日:2002-04-24

    申请号:CN01137167.6

    申请日:2001-09-27

    CPC classification number: C09K11/7735 C09K11/661 C09K11/662 C09K11/7734

    Abstract: 用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料,其发出高亮度光并只有少量的因暴露于等离子体等引起的亮度降低,和通过用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料提供了包括该荧光材料的真空紫外线辐射激发发光装置,其包括由通式:mM1O·nM2O·2M3O2表示的化合物,其中M1是选自Ca、Sr和Ba的至少一种金属,M2是选自Mg和Zn的至少一种金属,M3是选自Si和Ge的至少一种金属,和m和n分别满足0.5≤m≤3.5和0.5≤n≤2.5,条件是当m=n=1时,M1是选自Ca、Sr和Ba的至少两种金属,或选自Sr和Ba的一种金属;和选自Eu和Mn的至少一种金属作为活化剂,和包括该荧光材料的真空紫外线辐射激发发光装置。

    荧光体
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1369539A

    公开(公告)日:2002-09-18

    申请号:CN02103101.0

    申请日:2002-01-30

    CPC classification number: C09K11/778

    Abstract: 本发明提供一种发光辉度高的荧光体以及使用此荧光体的真空紫外线激发发光元件。此荧光体是由钡(Ba)、钆(Gd)、钇(Y)、硼(B)、氧(O)以及活化剂由铕(Eu)、铈(Ce)以及铽(Tb)所组成的族群中至少选择一种以上所组成。并且上述荧光体的组成式表示为BaGd1-a-bYaLnbB9O16,式中的Ln是由Eu、Ce以及Tb所组成的族群中至少选择一种以上,a与b个别满足0.05≤a≤1.0,0.003≤b≤0.5。真空紫外线激发发光元件使用上述任一项记载的荧光体。使用上述任一项记载的荧光体所形成的真空紫外线激发发光元件。

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