公开(公告)号：CN101388330A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810160808.0

申请日：2008-09-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  上田登志雄 ,  渡边容子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/687 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/12 ,  C30B25/10 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法，允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括：夹持衬底(1)的基座(2)；被安排在基座(2)的背侧的加热器；位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11)；以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。

公开(公告)号：CN101388330B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200810160808.0

申请日：2008-09-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  上田登志雄 ,  渡边容子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/687 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/12 ,  C30B25/10 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法，允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括：夹持衬底(1)的基座(2)；被安排在基座(2)的背侧的加热器；位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11)；以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。