公开(公告)号：CN103329287B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280005421.2

申请日：2012-01-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 猪口康博 ,  齐藤格 ,  藤村康 ,  田中和典

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G02B3/00 ,  G02B3/0075 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了一种光接收装置，包含位于与像素相对应的各个区域中的微透镜(21)，所述微透镜(21)布置在InP衬底(1)的背面上。所述微透镜通过使用树脂材料形成，所述树脂材料对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率的变化范围为25%以下，所述透过率为70%以上。

公开(公告)号：CN102782879A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012717.2

申请日：2011-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14652 ,  H01L29/15 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光接收元件等，其中能够在II型多量子阱（MQW）结构中防止短波长侧的响应度降低，同时总体提高响应度。该光接收元件特征在于，该光接收元件设置有II型MQW的光接收层（3），具有像素P，并位于衬底1上，该光接收层（3）形成在由III-V族化合物半导体构成的衬底（1）上，MQW结构包括50对以上的两个不同的III-V族化合物半导体层（3a、3b）。在该成对的两个不同的III-V族化合物半导体层中，具有较高的价带势能的层（3a）的厚度比另一个层（3b）的厚度薄。

公开(公告)号：CN103843158B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201380003240.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  稻田博史 ,  猪口康博 ,  齐藤格

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/205 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3‑12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。

公开(公告)号：CN102959736B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180032436.3

申请日：2011-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  中幡英章 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。

公开(公告)号：CN102265411B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980152161.X

申请日：2009-07-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 猪口康博 ,  三浦广平 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/105 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，将由III-V族半导体构成的扩散浓度分布控制层设置成和所述吸收层的一侧相接触，所述吸收层的所述一侧和所述吸收层的与所述III-V族化合物半导体衬底相邻的一侧相反，所述扩散浓度分布控制层的带隙能量比所述III-V族化合物半导体衬底的带隙能量小，选择性扩散到所述扩散浓度分布控制层中的所述杂质元素的浓度随着朝向所述吸收层而降低至5×1016/cm3以下。

公开(公告)号：CN102959736A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032436.3

申请日：2011-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  中幡英章 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。

公开(公告)号：CN103843158A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201380003240.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  稻田博史 ,  猪口康博 ,  齐藤格

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/205 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3-12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。

公开(公告)号：CN103403884A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010022.5

申请日：2012-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/68 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提供一种光电二极管等，该光电二极管可以在1.5μm至1.8μm的近红外波长范围内具有足够高的灵敏度并且可以具有低暗电流。根据本发明的光电二极管（10）包括：缓冲层（2），其设置为与InP衬底（1）的顶部相邻并与之接触；和吸收层（3），其位于缓冲层上并与之接触。吸收层包括50或更多个对，其中第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）构成一对，第一半导体层（3a）具有0.73eV或更小的带隙能量，第二半导体层（3b）具有比第一半导体层（3a）的带隙能量大的带隙能量。第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）形成应变补偿量子阱结构，并且每层都具有不小于1nm且不大于10nm的厚度。

公开(公告)号：CN102612758A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201180004431.X

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  中幡英章 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。

公开(公告)号：CN102612758B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180004431.X

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  中幡英章 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。